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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利基于原位生长聚合物的微纳光纤气体传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115356288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210938161.X，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权基于原位生长聚合物的微纳光纤气体传感器及制备方法是由徐永正;贾玉玺;高宇欣;杨盖;王宁;赵志彦;王海庆;程梦萱设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于原位生长聚合物的微纳光纤气体传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于原位生长聚合物的微纳光纤气体传感器及制备方法，包括：依次连接的输入光纤和光纤光栅区探头；所述光纤光栅区探头部分经过蚀刻处理，并且光纤光栅区探头表面覆盖PANI膜，所述PANI膜为在光纤光栅区探头表面原位生长而成；所述PANI膜能够吸附环境中的设定气体而使其电导率降低，从而引起光纤光栅中反射谱中心波长的漂移，进而实现对设定气体浓度的检测。本发明把微纳光纤的折射率敏感特性和PANI的气敏特性有机地结合起来，在光纤栅区表面原位生长PANI膜，所得传感器灵敏度高、响应回复时间快且稳定性好；可以用于气体、液体成分或浓度的测试中。

本发明授权基于原位生长聚合物的微纳光纤气体传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于原位生长聚合物的微纳光纤气体传感器，其特征在于，包括：依次连接的输入光纤和光纤光栅区探头；所述光纤光栅为光纤布拉格光栅；所述的基于原位生长聚合物的微纳光纤气体传感器的制备方法，包括：对光纤栅区进行蚀刻处理，同时监测光纤光栅反射谱的中心波长，当中心波长蓝移1.2～1.8nm时，用去离子水浸泡栅区以去除栅区表面残留的杂质；将光纤从去离子水中取出；采用氨水－过氧化氢的水溶液浸泡处理，或者，采用硅烷偶联剂溶液浸泡处理；然后对光纤进行干燥处理；在光纤栅区表面进行PANI的原位生长；原位生长结束后，还包括：将光纤浸入去离子水中清洗栅区表面残留的杂质；将栅区完全浸入氨水溶液中，进行PANI薄膜的脱掺杂处理；将光纤从氨水溶液中取出，再浸入去离子水中去除表面残留的氨分子，之后将其浸入相应的酸溶液中，调节其pH值对PANI薄膜进行再掺杂；最后将光纤取出进行充分干燥；在光纤栅区表面进行PANI的原位生长的过程具体为：将苯胺单体分散在设定pH值的酸溶液中，形成苯胺－酸溶液；将引发剂过硫酸铵均匀分散在与上述pH值相同的酸溶液中，形成过硫酸铵－酸溶液；将表面处理完成的光纤栅区竖直浸入所述苯胺－酸溶液中，并进行冷却；将所述过硫酸铵－酸溶液加入所述苯胺－酸溶液中，形成反应液，使苯胺开始在栅区表面聚合生长；同时监测光纤光栅反射谱中心波长的强度，满足设定要求后，将光纤取出。

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