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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种单颗实现多波长激射的半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210872970.5，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种单颗实现多波长激射的半导体激光器是由龚洋洋;徐真真;孙振兴;肖如磊;陈向飞设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单颗实现多波长激射的半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单颗实现多波长激射的半导体激光器，包括激光器区域与集成在激光器地出光端的SOA区域；激光器区域与SOA区域均依次包括正电极层、电隔离、光栅层、有源层、缓冲层、负电极层；所述光栅层分为光栅分布区域和光栅空白区域，且光栅层的光栅由种子光栅和一次取样光栅、二次取样光栅叠加合成得到；正电极层由所述电隔离分隔为光栅电极与空白电极；光栅电极为光栅分布区域提供泵浦电流；空白电极为光栅空白区域提供透明电流；通过给SOA区域加电为激光提供额外的增益，提高激光器区域的输出功率。本发明满足WDM对于波长的需求，可有效解决现有多波长半导体激光器阵列存在的结构复杂、难集成、额外功耗大、不便用于密集波分复用系统，实现不同激光器或通道的快速切换需要特殊考虑等问题。

本发明授权一种单颗实现多波长激射的半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种单颗实现多波长激射的半导体激光器，其特征在于，包括激光器区域与集成在激光器地出光端的SOA区域；所述激光器区域与SOA区域均依次包括正电极层、电隔离、光栅层、有源层、缓冲层、负电极层；所述光栅层分为光栅分布区域和光栅空白区域，且光栅层的光栅由种子光栅和一次取样光栅、二次取样光栅叠加合成得到；所述种子光栅，用于确认0级激射波长；所述一次取样光栅，用于确定激光器工作的中心波长，并使用REC技术，对中心波长引入等效π相移，实现光波的单模输出；所述二次取样光栅以一次取样的结果为基础，进行周期取样，得到光栅分布区域与光栅空白区域，以获得等间隔的多波长激光；所述多波长激光的间隔通过修改二次取样光栅的周期改变；所述正电极层由所述电隔离分隔为两个部分，一部分覆盖在光栅层中光栅分布区域上，另一部分覆盖在光栅层中光栅空白区域上，将覆盖在光栅分布区域上和覆盖在光栅空白区域上的正电极分别称为光栅电极与空白电极；所述光栅电极，用于为所述光栅分布区域提供泵浦电流，使激光可在所述光栅区域内谐振、放大；所述空白电极，用于为所述光栅空白区域提供透明电流，避免激光在通过所述空白区域时因材料吸收而损耗功率；所述SOA区域，用于通过给SOA区域加电为激光提供额外的增益，提高激光器区域的输出功率；所述有源层、缓冲层、负电极层为激光谐振提供增益、缓冲和负电极。

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