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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种外延片、外延片制备方法及发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210847211.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种外延片、外延片制备方法及发光二极管是由胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延片、外延片制备方法及发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，该外延片包括三维岛状层，三维岛状层包括依次层叠设置的第一超晶格层以及第二超晶格层；第一超晶格层包括以预设周期依次交替层叠设置的第一超晶格第一子层、第二子层、第三子层、第四子层以及第五子层；第二超晶格层包括以预设周期依次交替层叠在最后一个第一超晶格第五子层上的第二超晶格第一子层以及第二超晶格第二子层；其中，第一超晶格第一子层、第一超晶格第三子层、第一超晶格第五子层以及第二超晶格第二子层均为GaN层，第一超晶格第二子层为AlN层，第一超晶格第四子层为InN层，第二超晶格第一子层为MgN层。本发明解决了现有技术中的外延片晶体质量差的问题。

本发明授权一种外延片、外延片制备方法及发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种外延片，包括三维岛状层，其特征在于，所述三维岛状层包括依次层叠设置的第一超晶格层以及第二超晶格层；所述第一超晶格层包括以预设周期依次交替层叠设置的第一超晶格第一子层、第一超晶格第二子层、第一超晶格第三子层、第一超晶格第四子层以及第一超晶格第五子层；所述第二超晶格层包括以预设周期依次交替层叠在最后一个所述第一超晶格第五子层上的第二超晶格第一子层以及第二超晶格第二子层；其中，所述第一超晶格第一子层、第一超晶格第三子层、第一超晶格第五子层以及所述第二超晶格第二子层均为GaN层，所述第一超晶格第二子层为AlN层，所述第一超晶格第四子层为InN层，所述第二超晶格第一子层为MgN层；所述外延片还包括衬底、缓冲层、二维未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层以及接触层；所述缓冲层、三维岛状层、二维未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层以及接触层依次层叠在所述衬底上。

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