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龙图腾网恭喜上海爻火微电子有限公司申请的专利低功耗的功率限制电路以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115047936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210853941.4，技术领域涉及：G05F1/66；该发明授权低功耗的功率限制电路以及电子设备是由黄雷;罗勇进设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本低功耗的功率限制电路以及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低功耗的功率限制电路，包括：电源路径模块、转化模块、功率控制模块以及第一电阻；所述电源路径模块的第一输入端连接电源输入端，所述电源路径模块的第一输出端连接电源输出端，且所述电源输出端通过所述第一电阻接地，所述电源路径模块的第二输出端用于输出一检测电流；所述电源路径模块包括主电源功率管，所述电源路径模块用于通过开启或关闭所述主电源功率管，以控制所述电源输入端与所述电源输出端之间的电流路径的通断；且在导通时，保持所述检测电流与所述第一电阻上流过的电流呈正比；其中，所述转化模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电流源以及第二电阻。

本发明授权低功耗的功率限制电路以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种低功耗的功率限制电路，其特征在于，包括：电源路径模块、转化模块、功率控制模块以及第一电阻；所述电源路径模块的第一输入端连接电源输入端，所述电源路径模块的第一输出端连接电源输出端，且所述电源输出端通过所述第一电阻接地，所述电源路径模块的第二输出端用于输出一检测电流；所述电源路径模块包括主电源功率管，所述电源路径模块用于通过开启或关闭所述主电源功率管，以控制所述电源输入端与所述电源输出端之间的电流路径的通断；且在导通时，保持所述检测电流与所述第一电阻上流过的电流呈正比；其中，所述主电源功率管上的压降VDS＝VIN-VOUT，其中，VIN为所述电源输入端的电压，VOUT为所述电源输出端的电压；所述转化模块用于将所述主电源功率管上的压降VDS按预设比例转化成第一电流；所述功率控制模块用于根据所述检测电流的值与所述第一电流的值评估所述主电源功率管的通道功率值，并依据所述通道功率值与一预设阈值的大小来控制所述电源路径模块，以使所述通道功率值在预设阈值以下；其中，所述转化模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电流源以及第二电阻；所述第一PMOS管的源极连接所述电源输出端；所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的栅极及所述第一NMOS管的漏极，所述第二PMOS管的源极连接所述第三PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极以及所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极连接所述第一电流源的第一端，所述第一NMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的源极连接所述第一NMOS管的源极，所述第一电流源的第二端连接所述功率控制模块的第二输入端；所述第三PMOS管的漏极连接所述功率控制模块的第三输入端，所述第三PMOS管的源极接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接至所述电源输入端；其中，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管构成一负反馈电路，使得所述第二电阻的第二端的电压VO等于VOUT；所述第一电流为流经所述第二电阻上的电流；其中，所述第一PMOS管与所述第二PMOS管的类型与尺寸均相同，所述第一NMOS管与所述第二NMOS管的类型与尺寸均相同。

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