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龙图腾网恭喜成都功成半导体有限公司申请的专利一种凹陷式Fin-MOSFET栅结构HEMT及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211085758.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种凹陷式Fin-MOSFET栅结构HEMT及制作方法是由王中健;曹远迎设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种凹陷式Fin-MOSFET栅结构HEMT及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种凹陷式Fin‑MOSFET栅结构HEMT及制作方法，属于微电子与固体电子学领域，由下至上生长有衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、P‑GaN层和栅电极，沟道层两侧生长有源电极和漏电极；通过p‑GaN层部分刻蚀与栅介质淀积，在由栅电极与P‑GaN层构成的等效肖特基二极管DSJ两端并联一由栅电极电压控制的常开型Fin‑MOSFET；P‑GaN层下方的势垒层有一凹陷区域，用于提高器件栅控能力，且能够与鳍横向尺寸共同决定器件阈值电压，降低阈值电压对鳍横向尺寸的依赖以及对横向工艺尺寸的要求。

本发明授权一种凹陷式Fin-MOSFET栅结构HEMT及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种凹陷式Fin-MOSFET栅结构HEMT，包括沿器件垂直方向由下至上层叠生长的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、P-GaN层和栅电极，沟道层与势垒层形成异质结，沟道层两侧相对生长有源电极和漏电极，源电极、漏电极均为欧姆接触电极，其特征在于：对P-GaN层进行鳍刻蚀，形成鳍式结构P-GaN层，并在栅电极下方淀积隔离用的绝缘介质层，在由栅电极与P-GaN层构成的等效肖特基二极管DSJ两端并联一由栅电极电压控制的常开型Fin-MOSFET，Fin-MOSFET与HEMT共用一个栅极，且Fin-MOSFET一端连接至等效肖特基二极管DSJ、pin二极管Dpin之间，另一端通过欧姆接触金属电极与源电极连接；所述pin二极管Dpin由P-GaN层、势垒层、沟道层构成；P-GaN层下方的势垒层有一凹陷区域；所述P-GaN层上由下至上分别生长有欧姆接触金属电极、介质层和栅电极；欧姆接触金属电极生长于P-GaN层鳍表面；介质层覆盖欧姆接触金属电极以及P-GaN层鳍的侧壁；栅电极覆盖介质层以及P-GaN层表面；P-GaN层下方的势垒层刻蚀有一凹陷区域。

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