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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利用于低电源电路的硅整流器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020403B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210750569.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权用于低电源电路的硅整流器件是由王树龙;李嘉睿;刘伯航;李宇航;曹宪法;潘锦斌设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于低电源电路的硅整流器件在说明书摘要公布了：一种用于低电源电路的硅整流器件，包括P衬底、N阱与P阱，在N阱表面由外向内设置与器件阳极连接的N+区域一和P+区域一，并以浅沟槽隔离区域一隔开，在P阱表面由外向内设置与器件阴极连接的P+区域二和N+区域二，并以浅沟槽隔离区域二隔开，在N阱表面和P阱表面还设置有N+区域三，N+区域三与P+区域一之间以浅沟槽隔离区域三隔开，利用栅极连接N+区域三和N+区域二，从而形成以N+区域三为漏极，以N+区域二为源极的MOS结构；其中栅极与器件阴极连接。N阱中，在P+区域一下方设置N浅阱，P阱中，在栅极下方设置P浅阱。本发明器件的触发电压与保持电压可调，能灵活用在低电源电路中，且可避免发生闩锁效应。

本发明授权用于低电源电路的硅整流器件在权利要求书中公布了：1.一种用于低电源电路的硅整流器件，包括P衬底和位于P衬底上的N阱与P阱，在N阱表面由外向内设置与器件阳极连接的N+区域一和P+区域一，并以浅沟槽隔离区域一隔开，N阱和P+区域一形成反向偏置的PN结，在P阱表面由外向内设置与器件阴极连接的P+区域二和N+区域二，并以浅沟槽隔离区域二隔开，其特征在于，在N阱表面和P阱表面还设置有N+区域三，N+区域三与P+区域一之间以浅沟槽隔离区域三隔开，利用栅极连接N+区域三和N+区域二，从而形成以N+区域三为漏极，以N+区域二为源极的MOS结构；其中所述栅极与器件阴极连接；所述N阱中，在P+区域一下方设置有N浅阱，所述N浅阱的浓度小于N阱的浓度，从而以P+区域一为发射极，N浅阱为基极，P阱为集电极形成PNP晶体管；所述P阱中，在栅极下方设置有P浅阱，所述P浅阱的浓度小于P阱的浓度，从而以N阱为集电极，P浅阱为基极，N+区域三和N+区域二为发射极形成NPN晶体管。

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