买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善大尺寸金属栅中接触孔过刻蚀的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210745902.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权改善大尺寸金属栅中接触孔过刻蚀的方法是由吕瑞卿;彭翔;杨作东设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善大尺寸金属栅中接触孔过刻蚀的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善大尺寸金属栅中接触孔过刻蚀的方法，提供衬底，衬底上形成有多个位于低、中、高压器件区上的金属栅结构，高压器件区上的金属栅的尺寸大于其位于低、中压器件区上的尺寸，衬底上形成有覆盖金属栅结构的第一层间介质层；通过光刻和刻蚀，打开高压器件区中金属栅结构上的第一层间介质层，之后形成覆盖第一层间介质层、金属栅结构的刻蚀停止层；通过光刻和刻蚀去除高压器件区以外的刻蚀停止层；形成覆盖刻蚀停止层、第一层间介质层的第二层间介质层，之后通过光刻和刻蚀形成用于与金属栅结构的栅极、源极、漏极相连通的接触孔。本发明即使金属栅在较薄的情况下也不被接触孔刻蚀刻穿，提高产品可靠性。

本发明授权改善大尺寸金属栅中接触孔过刻蚀的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善大尺寸金属栅中接触孔过刻蚀的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有多个位于低、中、高压器件区上的金属栅结构，所述高压器件区上的所述金属栅的尺寸大于其位于所述低、中压器件区上的尺寸，所述衬底上形成有覆盖所述金属栅结构的第一层间介质层；步骤二、在所述第一层间介质层表面形成一层光刻胶层，通过光刻定义出所述高压器件区中较大所述金属栅结构的位置，打开除较大所述金属栅结构上以外的所述光刻胶层，之后通过刻蚀去除裸露的所述第一层间介质层，除去所述光刻胶层，之后形成覆盖所述第一层间介质层、所述金属栅结构的刻蚀停止层；步骤三、通过光刻和刻蚀去除所述高压器件区以外的所述刻蚀停止层；步骤四、形成覆盖所述刻蚀停止层、所述第一层间介质层的第二层间介质层，之后通过光刻和刻蚀形成用于与所述金属栅结构的栅极、源极、漏极相连通的接触孔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。