恭喜南京航空航天大学许向前获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京航空航天大学申请的专利一种阵列化芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020383B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210730104.2，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权一种阵列化芯片结构及其制备方法是由许向前;潘时龙;康晓晨;李思敏;王中盛设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列化芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列化芯片结构及其制备方法。该阵列化芯片结构包括：第一芯片、通道、键合焊盘、接地通孔、第二芯片和微凸点；第一芯片的上表面的一端至对端之间依次设置至少两个通道；在每个通道的两端分别设置一个键合焊盘，且每个键合焊盘分别对应连接通道的输入端和输出端；在相邻两个通道间以及首尾通道外侧设有贯穿第一芯片上下表面的多个接地通孔；第一芯片的上表面和第二芯片的上表面之间通过多个微凸点连接，多个微凸点分别设置在相邻两个通道间以及首尾通道外侧，和或第二芯片的上表面的相邻两个通道间以及首尾通道外侧的对应位置。本发明能够有效提升阵列化芯片中的通道间隔离度。
本发明授权一种阵列化芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列化芯片结构，其特征在于，包括：第一芯片、通道、键合焊盘、接地通孔、第二芯片和微凸点；所述第一芯片的上表面的一端至对端之间依次设置至少两个通道；在每个通道的两端分别设置一个键合焊盘，且每个键合焊盘分别对应连接通道的输入端和输出端；在相邻两个通道间以及首尾通道外侧设有贯穿所述第一芯片上下表面的多个接地通孔；所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的上表面之间通过多个微凸点连接，所述多个微凸点分别设置在所述相邻两个通道间以及首尾通道外侧，和或所述第二芯片的上表面的所述相邻两个通道间以及首尾通道外侧的对应位置；所述微凸点的半径为40微米至50微米中的任一值；相邻微凸点间的间隔小于四分之一信号波长。
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