恭喜广州新锐光掩模科技有限公司郑怀志获国家专利权
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龙图腾网恭喜广州新锐光掩模科技有限公司申请的专利一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114995077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210709200.9，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法是由郑怀志;施维设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，属于光刻机技术领域，具体包括：制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；量测第一量测图形和第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对晶圆进行第二层曝光；量测第一层的图形与第二层的图形的位置偏差值B；根据位置偏差值A和位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；将位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。通过本申请的处理方案，提高了芯片的良率。
本发明授权一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法在权利要求书中公布了：1.一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，其特征在于，所述方法包括：制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；量测所述第一量测图形和所述第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对所述晶圆进行第二层曝光；量测所述第一层的图形与所述第二层的图形的位置偏差值B；根据所述位置偏差值A和所述位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；其中，所述位置修正值C的计算公式为：C＝N*B-A，式中，N为光掩模图形到晶圆图形的微缩倍数；将所述位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州新锐光掩模科技有限公司，其通讯地址为：510799 广东省广州市黄埔区新芯光产业园新芯光一街2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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