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龙图腾网恭喜晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117277058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210673136.3，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由陈宇星;成磊;王伟远;梅石磊;刘浩伟设计研发完成，并于2022-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器的制备方法包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、位于衬底的一侧表面的外延层、位于外延层背离衬底的一侧表面的平行且间隔排布的若干脊波导、至少覆盖脊波导侧壁的绝缘层、以及至少覆盖绝缘层的第一电极层；相邻脊波导之间形成解理区，绝缘层和第一电极层均延伸至解理区；去除位于解理区的第一电极层和绝缘层；沿着解理区对半导体结构进行第一解理得到若干巴条。通过在第一解理之前去除了位于解理区中的第一电极层和绝缘层，保证了巴条具有平整的第一解理面和第二解理面，从而保证了谐振腔的前后腔面相互平行，最终保证半导体激光器的发光性能。

本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括：形成半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底的一侧表面的外延层、位于所述外延层背离所述衬底的一侧表面的平行且间隔排布的若干脊波导、至少覆盖所述脊波导侧壁的绝缘层、以及至少覆盖所述绝缘层的第一电极层；相邻所述脊波导之间形成解理区，所述绝缘层和所述第一电极层均延伸至所述解理区；在所述第一电极层背离所述外延层的一侧表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露位于所述解理区的第一电极层；采用湿法腐蚀工艺和或等离子体清洗工艺去除位于所述解理区的第一电极层和绝缘层；在去除位于所述解理区的第一电极层和绝缘层之后，去除所述第一掩膜层；沿着所述解理区对所述半导体结构进行第一解理得到若干巴条，所述巴条具有平行且相对设置的第一解理面和第二解理面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)，其通讯地址为：048000 山西省晋城市金鼎路双创产业园(光机电加速器)6号楼3层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。