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龙图腾网恭喜青岛翼晨镭硕科技有限公司申请的专利一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210359299.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法是由张子旸;姚中辉;陈红梅;蒋成;王洪培设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法，其技术方案的要点是超辐射发光二极管包括巴条，所述巴条包括从下到上依次设置的N‑GaAs衬底层、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs下包层、GaAs下波导层、InGaAs量子点有源区、GaAs上波导层、P‑AlGaAs上包层、P+‑GaAs欧姆接触层；所述巴条的顶面设置有与巴条中心面倾斜相交的脊型波导；所述巴条的前腔面设置有中心波长为1000nm的ZrO2增透膜涂层；所述巴条的后腔面设置有若干对中心波长为880nm的Ta2O5SiO2高反射涂层；制造方法包括，步骤S1,外延结构生长；步骤S2,脊型波导蚀刻加工；步骤S3,电极加工；步骤S4，光学镀膜加工；本发明的超辐射发光二极管能够同时具有高功率和宽光谱的特性，能够良好的适用于OCT系统等非相干光学系统。

本发明授权一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三态发光量子点超辐射发光二极管，包括巴条，其特征在于：所述巴条包括从下到上依次设置的N-GaAs衬底层1、N-GaAs缓冲层2、N-AlGaAs下包层3、GaAs下波导层4、InGaAs量子点有源区5、GaAs上波导层6、P-AlGaAs上包层7、P+-GaAs欧姆接触层8；所述巴条的顶面设置有与巴条中心面倾斜相交的脊型波导9；所述巴条的前腔面设置有中心波长为1000nm的ZrO2增透膜涂层100；所述巴条的后腔面设置有若干对中心波长为880nm的Ta2O5SiO2高反射涂层200;使在第一激发态波段有较高反射率，在第二激发态波段有更高反射率。

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