恭喜上海格易电子有限公司王可新获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海格易电子有限公司申请的专利DRAM电路的测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114913910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210365432.7，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权DRAM电路的测试方法及系统是由王可新设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本DRAM电路的测试方法及系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种DRAM电路的测试方法及系统。其中，该测试方法用于DRAM电路的测试系统，DRAM电路的测试系统包括寄存电路及DRAM电路；该测试方法包括基于读指令产生第一使能信号，并将第一使能信号发送至寄存电路；寄存电路基于第一使能信号经由数据线获取期望数据；获取期望数据后，基于读指令产生延时信号，并将延时信号发送至DRAM电路，DRAM电路基于延时信号读取DRAM中的存储数据，并将基于期望数据及存储数据得到的DRAM电路测试结果经由数据线输出。本申请的DRAM电路的测试方法及系统，能够缩短DRAM电路的测试时间，提高DRAM电路的产测效率。
本发明授权DRAM电路的测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种DRAM电路的测试方法，其特征在于，用于DRAM电路的测试系统，所述DRAM电路的测试系统包括寄存电路及DRAM电路，所述测试方法包括：基于读指令产生第一使能信号，并将所述第一使能信号发送至所述寄存电路；所述寄存电路基于所述第一使能信号经由数据线获取期望数据；获取所述获取期望数据后，基于所述读指令产生延时信号，并将所述延时信号发送至所述DRAM电路，所述DRAM电路基于所述延时信号读取DRAM中的存储数据，并将基于所述期望数据及所述存储数据得到的所述DRAM电路测试结果经由所述数据线输出。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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