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龙图腾网恭喜北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)申请的专利一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114578660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210221959.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置是由付纯鹤;张叶;高荣荣;卢金剑;杜旭设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置，首次曝光时，基于待曝光基片的轮廓信息，确定待曝光表面中的最大内接矩形；基于最大内接矩形的尺寸和曝光单元的尺寸，确定有效曝光区域和曝光单元的布局数据；选择有效曝光区域的指定方位上的顶点作为起始曝光标记点，基于起始曝光标记点和有效曝光区域的其余方位上的顶点构建标记点数据；根据曝光单元的布局数据、标记点数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定待曝光基片的曝光路径；按照曝光路径，从起始曝光标记点开始在有效曝光区域内对待曝光基片进行曝光。本申请根据基片实际的轮廓动态确定有效曝光区域，从而进行曝光路径的动态规划，进而提高基片的利用率和芯片的生产效率。

本发明授权一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种非标规格半导体基片的曝光方法，其特征在于，所述曝光方法包括：当确定待曝光基片为首次曝光时，基于所述待曝光基片的待曝光表面的轮廓信息，确定所述待曝光表面中的最大内接矩形；基于所述最大内接矩形的尺寸和曝光单元的尺寸，确定所述待曝光基片的有效曝光区域和所述曝光单元的布局数据；所述有效曝光区域的面积是所述曝光单元面积的整数倍，所述有效曝光区域为所述最大内接矩形中包含最多曝光单元的区域；选择所述有效曝光区域的指定方位上的顶点作为起始曝光标记点，基于所述起始曝光标记点和所述有效曝光区域的其余方位上的顶点构建标记点数据；根据曝光单元的布局数据、所述标记点数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定所述待曝光基片的曝光路径；按照所述曝光路径，从所述起始曝光标记点开始在所述有效曝光区域内对所述待曝光基片进行曝光。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)，其通讯地址为：100176 北京市北京经济技术开发区泰河三街1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。