恭喜北京航空航天大学杨树斌获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京航空航天大学申请的专利导电剂、导电浆料及其制备方法和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116779208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210225288.7，技术领域涉及：H01B1/06；该发明授权导电剂、导电浆料及其制备方法和用途是由杨树斌;赵麒设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本导电剂、导电浆料及其制备方法和用途在说明书摘要公布了：本发明公开了一种导电剂、导电浆料及其制备方法和用途，其中该导电剂中包括MXene纳米卷，该MXene纳米卷为具有一维中空卷结构的MXene材料。属于MXene材料的微观结构改变，仍然保留有MXene的材料导电的特性，用于导电剂的用途，其聚集体为单分散态，不团聚易分散的效果，还具有定向导电性好及接触电阻低的特点，电导性明显地高于二维MXene材料，能够作为替代材料取代碳纳米管。
本发明授权导电剂、导电浆料及其制备方法和用途在权利要求书中公布了：1.一种MXene纳米卷作为导电剂的用途，其特征在于，所述MXene纳米卷为具有一维中空卷结构的MXene材料；所述中空卷结构由单片和或单层的二维MXene材料卷曲形成；所述MXene纳米卷的制备方法包括：将二维MXene材料或刻蚀MAX相材料得到的手风琴形貌的刻蚀物，分散于含有正离子对试剂的液相中，在外力的作用下形成液相流动，得到所述MXene纳米卷；所述MXene纳米卷的管壁的厚度介于0.3nm至50nm；所述MXene纳米卷的管径介于10nm至200nm；所述MXene纳米卷的一维结构为直线型。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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