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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利OPC修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114660891B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210189692.3，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC修正方法是由刘晓静;张月雨设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本OPC修正方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种OPC修正方法，包括：步骤一、提供前层图形，包括具有衬底高度差的第一和第二衬底图形；步骤二、通过尺寸选择方式在前层图形中选择第一和第二衬底图形，所选择的第一和第二衬底图形对应的反射差值会使光刻胶尺寸差值大于等于规定值；在选择的第一或第二衬底图形上设置辅助图形；步骤三、在当前层原始版图中选择会和辅助图形对应的第一或第二衬底图形相交的当前层图形；步骤四、对选择的当前层图形进行边缘分割并进行局部反向尺寸补偿，用于抵消反射差值产生的光刻胶尺寸差值；步骤五、对经过局部反向尺寸补偿的当前层原始版图进行OPC修正。本发明能改善跨越不同高度的衬底光刻胶图形的形貌，改善当前层图形的线宽或间距的均匀性。

本发明授权OPC修正方法在权利要求书中公布了：1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供前层图形，所述前层图形包括第一衬底图形和第二衬底图形，所述第一衬底图形的顶部表面和所述第二衬底图形的顶部表面之间具有衬底高度差；所述衬底高度差使形成于所述前层图形表面的底部抗反射层在所述第一衬底图形和所述第二衬底图形表面具有厚度差；所述底部抗反射层的厚度差别会使相邻的所述第一衬底图形和所述第二衬底图形之间的衬底剩余反射具有反射差值，所述反射差值使得相邻的所述第一衬底图形和所述第二衬底图形上的当前层图形对应的光刻胶图形的关键尺寸或间距具有光刻胶尺寸差值；所述反射差值由所述第一衬底图形和所述第二衬底图形的尺寸确定；所述第一衬底图形包括栅极；所述栅极覆盖在鳍体的顶部表面和侧面；所述第二衬底图形包括浅沟槽隔离；所述浅沟槽隔离位于所述鳍体之间；所述浅沟槽隔离的顶部表面低于所述栅极的顶部表面；所述前层图形中，各所述栅极平行排列，各所述栅极的长度方向和所述鳍体的长度方向垂直；所述栅极的宽度为栅极通道长度；步骤二、通过尺寸选择方式在所述前层图形中选择所述第一衬底图形和所述第二衬底图形，所选择的所述第一衬底图形和所述第二衬底图形对应的所述反射差值会使所述光刻胶尺寸差值大于等于规定值；在选择的所述第一衬底图形或所述第二衬底图形上设置辅助图形；步骤二中，选择所述第一衬底图形或所述第二衬底图形的实现方式为：选择宽度大于临界栅极通道长度的所有所述栅极；所述临界栅极通道长度通过软件模拟得到，包括：模拟不同宽度的所述栅极所产生的所述光刻胶尺寸差值；将所述光刻胶尺寸差值的规定值对应的所述栅极的宽度作为所述临界栅极通道长度；所述辅助图形设置在所选择的所述栅极上；所述辅助图形的形成方法包括：以选择的所述栅极作为标记层图形，将所述标记层图形沿所述栅极的宽度方向延伸扩展形成所述辅助图形；所述辅助图形在各所述栅极的长度边外侧延伸的尺寸为0nm～20nm；步骤三、提供当前层原始版图，在所述当前层原始版图中选择会和所述辅助图形对应的所述第一衬底图形或所述第二衬底图形相交的当前层图形；步骤四、对选择的所述当前层图形进行边缘分割并进行局部反向尺寸补偿，所述局部反向尺寸补偿用于抵消所述反射差值产生的所述光刻胶尺寸差值；步骤五、对经过所述局部反向尺寸补偿的所述当前层原始版图进行OPC修正。

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