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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利一种非易失性存储装置、编程方法及存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210028189.X，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权一种非易失性存储装置、编程方法及存储器系统是由万维俊;盛悦设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非易失性存储装置、编程方法及存储器系统在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种非易失性存储装置，包括：外围电路，外围电路耦接于存储单元阵列，被配置为将第一物理页和第二物理页以缓存编程方式对所述存储单元阵列分别进行相继的第一次编程和第二次编程；外围电路包括分别耦合到位线的多个页缓冲器，每个页缓冲器包括：主锁存器和N‑1个数据锁存器和与数据通路耦接的一个缓存锁存器；主锁存器被配置为能够存储第一非物理页信息；外围电路还被配置为在对第一物理页进行编程的过程中，在第2N‑M个存储器状态的编程验证通过的情况下使得主锁存器存储的对应第1至第2N‑M个存储器状态的标识不同于对应第2N‑M+1至第2N个存储器状态的标识，其中M为大于或等于1且小于或等于N‑2的整数。

本发明授权一种非易失性存储装置、编程方法及存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储装置，其特征在于，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列中的存储单元按行和列排列，每个存储单元被配置存储N位数据，其中，N为大于1的整数；外围电路，所述外围电路耦接于所述存储单元阵列，所述外围电路被配置为将第一物理页和第二物理页以缓存编程方式对所述存储单元阵列分别进行相继的第一次编程和第二次编程，以及在第一次编程第二次编程的过程中基于第一物理页第二物理页的N个逻辑页对选定的存储单元行进行编程；所述外围电路包括分别耦合到位线的多个页缓冲器，每个页缓冲器包括：主锁存器、N-1个数据锁存器和与数据通路耦接的一个缓存锁存器；其中，所述主锁存器被配置为能够存储第一非物理页信息；所述N-1个数据锁存器和所述一个缓存锁存器用于对第一物理页第二物理页的N个逻辑页执行一次所述编程的过程中作为N个页锁存器暂存待写入N个逻辑页的编程数据；所述外围电路还被配置为：在对所述第一物理页进行编程的过程中，完成第1至第2N-M个存储器状态的编程操作时对对应第2N-M个存储器状态的编程操作进行编程验证操作，在第2N-M个存储器状态的编程验证通过的情况下使得所述主锁存器存储的对应第1至第2N-M个存储器状态的标识不同于对应第2N-M+1至第2N个存储器状态的标识，以及释放所述N个页锁存器的至少一个以缓存第二物理页的N个逻辑页的至少一个逻辑页的编程数据；并且在对所述第一物理页进行编程的过程中，将第二物理页的N个逻辑页中一个逻辑页的编程数据存储在释放的一个页锁存器中，其中M为大于或等于1且小于或等于N-2的整数。

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