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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利SOI的有源区的隔离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111097857.6，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权SOI的有源区的隔离方法是由张庆;关天鹏设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本SOI的有源区的隔离方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SOI的有源区的隔离方法，包括：步骤一、提供一SOI衬底结构，在SOI衬底的半导体顶层表面形成硬质掩膜层；步骤二、对硬质掩膜层进行图形化刻蚀形成第一开口；步骤三、进行选择性外延生长在第一开口暴露的半导体顶层表面形成第一外延层，第一外延层形成后会在第一开口的侧面处形成第一凹口；步骤四、进行氧化工艺使第一外延层全部被氧化以及使第一凹口底部的半导体顶层也被氧化并最后形成第一氧化层，在第一凹口底部第一氧化层会穿过半导体顶层；步骤五、去除硬质掩膜层和第一氧化层，在第一氧化层穿过半导体顶层的位置处形成隔离凹槽并隔离出有源区。本发明能对半导体顶层实现超小间隙切割，能降低隔离结构的关键尺寸。

本发明授权SOI的有源区的隔离方法在权利要求书中公布了：1.一种SOI的有源区的隔离方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一SOI衬底结构，所述SOI衬底包括半导体主体层，介质埋层和半导体顶层，所述介质埋层形成于所述半导体主体层表面，所述半导体顶层形成于所述介质埋层表面；在所述半导体顶层表面形成硬质掩膜层；步骤二、对所述硬质掩膜层进行图形化刻蚀形成第一开口，所述第一开口将所述半导体顶层表面暴露；步骤三、进行选择性外延生长在所述第一开口暴露的所述半导体顶层表面形成第一外延层，所述第一外延层从所述半导体顶层的表面开始由下往上生长，所述第一开口的侧面不生长所述第一外延层，所述第一外延层形成后会在所述第一开口的侧面处形成第一凹口；步骤四、进行氧化工艺使所述第一外延层全部被氧化以及使所述第一凹口底部的所述半导体顶层也被氧化并最后形成第一氧化层，在所述第一凹口底部所述第一氧化层会穿过所述半导体顶层；步骤五、去除所述硬质掩膜层和所述第一氧化层从而露出所述半导体顶层的顶部表面且在所述第一氧化层穿过所述半导体顶层的位置处形成隔离凹槽，所述隔离凹槽之间的所述半导体顶层作为有源区。

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