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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利FinFET的自加热效应的测试结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111097855.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权FinFET的自加热效应的测试结构和方法是由李勇设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本FinFET的自加热效应的测试结构和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种FinFET的自加热效应的测试结构，在鳍体上形成有具有自加热效应的FinFET；测试结构包括齐纳二极管，由形成于鳍体上的第一导电类型重掺杂的第一嵌入式外延层和第二导电类型重掺杂的第二嵌入式外延层组成，第一嵌入式外延层的底部的形成有第一导电类型阱；FinFET的自加热效应会使鳍体的被FinFET所覆盖的区域以及临近FinFET的区域加热，齐纳二极管设置在鳍体的临近FinFET的区域上，利用齐纳二极管的击穿电压会随温度变化的特性，通过测量齐纳二极管的击穿电压测量自加热效应。本发明还公开了一种FinFET的自加热效应的测试方法。本发明能实现对FinFET的自加热效应进行精确测试，且不会对FinFET的导通带来不利影响，而且方便工艺集成。

本发明授权FinFET的自加热效应的测试结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFET的自加热效应的测试结构，其特征在于：在鳍体上形成有具有自加热效应的FinFET；测试结构包括齐纳二极管，所述齐纳二极管由形成于所述鳍体上的第一导电类型重掺杂的第一嵌入式外延层和第二导电类型重掺杂的第二嵌入式外延层组成，所述第一嵌入式外延层的底部的所述鳍体中形成有第一导电类型阱，所述第二嵌入式外延层形成于所述第一嵌入式外延层的顶部；所述FinFET的自加热效应会使所述鳍体的被所述FinFET所覆盖的区域以及临近所述FinFET的区域加热，所述齐纳二极管设置在所述鳍体的临近所述FinFET的区域上，利用所述齐纳二极管的击穿电压会随温度变化的特性，通过测量所述齐纳二极管的击穿电压测量所述鳍体的临近所述FinFET的区域以实现对FinFET的自加热效应的测试；所述第一嵌入式外延层和所述第二嵌入式外延层的掺杂浓度越高，所述齐纳二极管的击穿电压越低，对临近的所述FinFET的导通影响越小。

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