恭喜隆达电子股份有限公司方语靖获国家专利权
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龙图腾网恭喜隆达电子股份有限公司申请的专利二极管封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111066874.3，技术领域涉及：H10H20/853；该发明授权二极管封装结构及其制造方法是由方语靖;徐湘淳;张正平设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种二极管封装结构及其制造方法，二极管封装结构包含一基板、至少一二极管芯片以及不透明封装胶。基板具有导电层。二极管芯片固晶于基板上，且电性连接至导电层。不透明封装胶具有一覆盖部分与一侧墙部分，侧墙部分连接并环绕基板以共同形成一凹槽。覆盖部分连接于二极管芯片的侧壁与侧墙部分之间，其中覆盖部分与二极管芯片的侧壁的第一接触顶点高于覆盖部分与侧墙部分的第二接触顶点。本案的二极管封装结构能因应热胀冷缩不易产生剥离的问题。
本发明授权二极管封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种二极管封装结构，其特征在于，包含：一基板，具有导电层；一第一二极管芯片及一第二二极管芯片，固晶于该基板上，且电性连接至该导电层；以及不透明封装胶，具有一第一覆盖部分、一第二覆盖部分与一侧墙部分，该侧墙部分连接并环绕该基板以共同形成一凹槽，该第一覆盖部分连接于该第一二极管芯片的侧壁与该侧墙部分之间，其中该第一覆盖部分与该第一二极管芯片的侧壁的第一接触顶点高于该第一覆盖部分与该侧墙部分的第二接触顶点，其中该第二覆盖部分位于该第一二极管芯片与该第二二极管芯片之间，该第二覆盖部分与该第一二极管芯片的第三接触顶点低于该第二覆盖部分与该第二二极管芯片的第四接触顶点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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