恭喜力旺电子股份有限公司陈英哲获国家专利权
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龙图腾网恭喜力旺电子股份有限公司申请的专利非挥发性存储器的存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110917690.7，技术领域涉及：H10D30/69；该发明授权非挥发性存储器的存储单元是由陈英哲;孙文堂;黎俊霄;陈学威设计研发完成，并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本非挥发性存储器的存储单元在说明书摘要公布了：本发明公开一种非挥发性存储器的存储单元，包括一存储元件。存储元件为一晶体管，且存储元件具有不对称的间隙壁。在存储元件中，较宽间隙壁的下方具有较长的沟道。当存储元件进行编程动作时，将有更多的载流子carrier经由较长沟道注入间隙壁的电荷抓取层。因此，本发明的存储单元可更有效率的进行编程动作，并缩短编程动作的时间。
本发明授权非挥发性存储器的存储单元在权利要求书中公布了：1.一种非挥发性存储器的存储单元，该存储单元具有存储元件，该存储元件包括：阱区；栅极结构，形成于该阱区的表面上，且该栅极结构包括至少一凸出部；间隙壁，围绕于该栅极结构的侧壁，且该间隙壁接触该阱区的该表面，其中该间隙壁包括第一部分与第二部分；以及第一掺杂区与第二掺杂区，形成于该阱区的该表面下方，且该第一掺杂区与该第二掺杂区之间为沟道区域，该沟道区域包括第一沟道与第二沟道；其中，该栅极结构的该侧壁包括多个表面，且该至少一凸出部的第一表面平行于该沟道区域中的沟道长度方向；其中，该第一沟道位于该栅极结构下方，该第二沟道位于该第一沟道与该第二掺杂区域之间，且该第一部分的该间隙壁位于该第二沟道上方；其中，该沟道区域还包括第三沟道，该第三沟道位于该第一沟道与该第一掺杂区之间，该第二部分的该间隙壁位于该第三沟道上方，且该第二沟道的长度大于该第三沟道的长度；其中，在编程动作时，多个载流子经由该第二沟道注入该第一部分的该间隙壁中的电荷抓取层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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