恭喜长鑫存储技术有限公司杨桂芬获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利字线驱动器电路及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115691582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110864906.8，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权字线驱动器电路及存储器是由杨桂芬设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本字线驱动器电路及存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种字线驱动器电路及存储器，字线驱动器电路至少可以包括：多个字线驱动器，每一所述字线驱动器包含对应的PMOS管和NMOS管，多个所述字线驱动器包含的多个所述PMOS管并排设置，多个所述字线驱动器包含的多个所述NMOS管并排设置，在所述PMOS管的排列方向上，多个所述PMOS管位于多个所述NMOS管的同一侧。本发明实施例有利于提升字线驱动器电路的电学性能。
本发明授权字线驱动器电路及存储器在权利要求书中公布了：1.一种字线驱动器电路，其特征在于，包括：多个字线驱动器，每一所述字线驱动器包含对应的PMOS管和NMOS管，多个所述字线驱动器包含的多个所述PMOS管并排设置，多个所述字线驱动器包含的多个所述NMOS管并排设置，在所述PMOS管的排列方向上，多个所述PMOS管位于多个所述NMOS管的同一侧；所述字线驱动器包括第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，所述第零PMOS管的栅极接收第一控制信号，源极接收第二控制信号，漏极连接字线，所述第零NMOS管的栅极接收所述第一控制信号，源极接地，漏极连接所述字线，所述第一NMOS管的栅极接收第二控制互补信号，源极接地，漏极连接所述字线，所述第零NMOS管由第零一NMOS管和第零二NMOS管构成，所述第一NMOS管由第一一NMOS管和第一二NMOS管构成。
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