买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种空气间隔制备方法、动态随机存取存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110748687.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种空气间隔制备方法、动态随机存取存储器及电子设备是由杨蕾设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种空气间隔制备方法、动态随机存取存储器及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种空气间隔制备方法、动态随机存取存储器及电子设备，包括：在节点接触层的上端面、第一位线间隔层顶部、第二位线间隔层顶部、氧化层顶部和绝缘层上端面沉积第一覆盖层；向下刻蚀去除以氧化层顶部所在位置为水平线以上部分；在刻蚀后平面之上形成第一氧化层；刻蚀去除每一位线第一侧的氧化层顶部、第一侧的第一位线间隔层顶部和第一侧的第二位线间隔层顶部的第一氧化层部分，保留每一位线第二侧的氧化层顶部、第二侧的第一位线间隔层顶部和第二侧的第二位线间隔层顶部的第一氧化层部分，将保留的第一氧化层部分确定为氧化层图形；对去除的第一氧化层部分的位置进行沉积形成第二覆盖层；去除氧化层图形和氧化层。

本发明授权一种空气间隔制备方法、动态随机存取存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种空气间隔制备方法，其特征在于，应用于动态随机存取存储器，所述动态随机存取存储器包括制备有位线和字线的半导体衬底、设置于所述位线两侧侧壁的第一位线间隔层、设置于所述第一位线间隔层侧壁的氧化层、设置于所述位线顶部的绝缘层，所述半导体衬底表面设置有节点接触层，所述动态随机存取存储器还包括第二位线间隔层，所述氧化层位于所述第一位线间隔层和第二位线间隔层之间，所述方法，包括：在所述节点接触层的上端面、所述第一位线间隔层顶部、所述第二位线间隔层顶部、所述氧化层顶部以及所述绝缘层的上端面沉积第一覆盖层，所述第一覆盖层下端面生成一薄膜层；将所述第一覆盖层研磨至与所述绝缘层顶部的所述薄膜层上端面平齐后，向下刻蚀去除以所述氧化层顶部所在位置为水平线以上部分，以裸露出所述氧化层顶部；在刻蚀后平面之上形成第一氧化层；对所述第一氧化层进行刻蚀，去除每一所述位线第一侧的所述氧化层顶部、第一侧的所述第一位线间隔层顶部和第一侧的所述第二位线间隔层顶部的所述第一氧化层部分，保留每一所述位线第二侧的所述氧化层顶部、第二侧的所述第一位线间隔层顶部和第二侧的所述第二位线间隔层顶部的所述第一氧化层部分，将保留的所述第一氧化层部分确定为氧化层图形；对去除的所述第一氧化层部分的位置进行沉积形成第二覆盖层，所述第二覆盖层上表面与所述氧化层图形上端面平齐；去除所述氧化层图形和所述氧化层，以在所述氧化层位置形成空气间隔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。