恭喜台湾积体电路制造股份有限公司潘冠廷获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113363208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110557935.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由潘冠廷;王志豪;朱熙甯;游家权;江国诚设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：方法包括提供一种结构，该结构具有：从衬底延伸的两个鳍；隔离鳍的底部的隔离结构；位于每个鳍上方的源极漏极SD部件；平行于鳍纵向定向并且设置在两个鳍之间与隔离结构上方的介电鳍；位于隔离结构、鳍和介电鳍上方的伪栅极堆叠件；以及位于伪栅极堆叠件的侧壁上方的一个或多个介电层。该方法还包括：去除伪栅极堆叠件，以在一个或多个介电层内产生栅极沟槽，其中，介电鳍暴露于栅极沟槽中；修整介电鳍以减小介电鳍的宽度；以及在修整之后，在栅极沟槽中形成高k金属栅极。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括：提供结构，所述结构具有：从衬底延伸的两个鳍；隔离所述鳍的底部的隔离结构；位于每个所述鳍上方的源极漏极SD部件；平行于所述鳍纵向定向并且设置在两个所述鳍之间与所述隔离结构上方的介电鳍；位于所述隔离结构、所述鳍和所述介电鳍上方的伪栅极堆叠件；以及位于所述伪栅极堆叠件的侧壁表面上方的一个或多个介电层；去除所述伪栅极堆叠件，以在所述一个或多个介电层内产生栅极沟槽，其中，在所述栅极沟槽中暴露所述介电鳍；修整所述介电鳍以减小所述介电鳍的宽度；以及在所述修整之后，在所述栅极沟槽中形成高k金属栅极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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