恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴俊毅获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构、半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110474903.3，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体结构、半导体器件及其制造方法是由吴俊毅;余振华;刘重希设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：结构包括：芯衬底，附接至再分布结构的第一侧，其中，第一再分布结构包括第一导电部件和第一介电层，其中，每个芯衬底包括导电柱，其中，芯衬底的导电柱物理和电接触第一导电部件；密封剂，在再分布结构的第一侧上方延伸，其中，密封剂沿每个芯衬底的侧壁延伸；以及集成器件封装件，连接至第一再分布结构的第二侧。本申请的实施例还涉及半导体结构、半导体器件及其制造方法。
本发明授权半导体结构、半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一互连结构，所述第一互连结构包括位于所述第一互连结构的第一侧上的导电柱；第二互连结构，所述第二互连结构包括位于所述第二互连结构的第一侧上的导电柱，其中，所述第二互连结构与所述第一互连结构横向相邻；底部填充材料，在所述第一互连结构的所述第一侧上方、所述第二互连结构的第一侧上方延伸，并且在所述第一互连结构和所述第二互连结构之间延伸，所述底部填充材料与每个所述导电柱具有共面的表面；第一再分布结构，位于共面的所述表面上，在所述第一互连结构的所述第一侧上方和所述第二互连结构的所述第一侧上方延伸，其中，所述第一再分布结构电连接至所述第一互连结构的所述导电柱和所述第二互连结构的所述导电柱；以及集成器件封装件，包括封装在一起的多个集成电路管芯，所述集成器件封装件附接至所述第一再分布结构，其中，所述集成器件封装件中的一个集成电路管芯跨过所述第一互连结构与所述第二互连结构之间的所述底部填充材料。
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