恭喜财团法人工业技术研究院陈昭蓉获国家专利权
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龙图腾网恭喜财团法人工业技术研究院申请的专利多芯片封装件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571496B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110417910.X，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权多芯片封装件及其制造方法是由陈昭蓉;林育民;吴昇财;黄馨仪;林昂樱;倪梓瑄;罗元听设计研发完成，并于2021-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本多芯片封装件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种多芯片封装件及其制造方法。多芯片封装件包括：中介层，包括介电主体、被所述介电主体隔开的多个半导体主体、贯穿所述介电主体的贯穿通路以及位于所述多个半导体主体中的每一者中的布线结构；多个半导体芯片，并排地位于所述中介层的第一表面上且电连接至所述布线结构；包封体，位于所述中介层的所述第一表面上且包封所述多个半导体芯片的至少部分；以及重配置线路结构，位于所述中介层的第二表面上，所述中介层的所述第二表面与所述中介层的所述第一表面相对，所述重配置线路结构通过所述贯穿通路电连接至所述多个半导体芯片。
本发明授权多芯片封装件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片封装件，其特征在于，包括：中介层，包括介电主体、被所述介电主体隔开的多个半导体主体、贯穿所述介电主体的贯穿通路以及位于所述多个半导体主体中的每一者中的布线结构；多个半导体芯片，并排地位于所述中介层的第一表面上且电连接至所述布线结构；包封体，位于所述中介层的所述第一表面上且包封所述多个半导体芯片的至少部分；以及重配置线路结构，位于所述中介层的第二表面上，所述中介层的所述第二表面与所述中介层的所述第一表面相对，所述重配置线路结构通过所述贯穿通路电连接至所述多个半导体芯片，其中所述介电主体与所述半导体主体间的界面不垂直于所述中介层的第一表面，其中所述介电主体的宽度随着与所述多个半导体芯片的距离增大而增加。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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