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龙图腾网恭喜硅存储技术股份有限公司申请的专利带改善控制栅电容耦合的分裂栅存储器单元及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083912B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110266241.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权带改善控制栅电容耦合的分裂栅存储器单元及其制造方法是由邢精成;王春明;X·刘;N·多;宋国祥设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本带改善控制栅电容耦合的分裂栅存储器单元及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明题为“具有改善的控制栅电容耦合的分裂栅闪存存储器单元及其制造方法”。本发明公开了一种形成存储器设备的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层；在该第二绝缘层中形成沟槽以暴露该第一导电层的该上表面；执行氧化工艺和倾斜蚀刻工艺以使该上表面再成形为凹形形状；在该再成形上表面上形成第三绝缘层；在该第三绝缘层上形成导电间隔物；去除该第一导电层的部分，留下浮栅，该浮栅位于该导电间隔物下方，其中该再成形上表面在尖锐边缘处终止于侧表面处；以及形成与该浮栅横向相邻并绝缘的字线栅。该导电间隔物包括下表面，该下表面面向该再成形上表面并且与该再成形上表面的形状匹配。

本发明授权带改善控制栅电容耦合的分裂栅存储器单元及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种形成存储器设备的方法，包括：在半导体衬底的上表面上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层中形成沟槽，所述沟槽暴露所述第一导电层的上表面部分；执行氧化工艺和倾斜蚀刻工艺以在所述沟槽的底部处将所述第一导电层的所述上表面部分从平面形状再成形为凹形形状；在所述沟槽的所述底部处在所述第一导电层的所述再成形上表面部分上形成第三绝缘层；在所述沟槽中和所述第三绝缘层上形成导电间隔物；去除所述第一导电层的部分，留下所述第一导电层的浮栅，所述浮栅位于所述导电间隔物下方并且包括所述上表面部分，所述上表面部分具有在尖锐边缘处终止于所述浮栅的侧表面处的凹形形状，其中所述导电间隔物包括下表面，所述下表面：面向所述浮栅的所述上表面部分，具有与所述浮栅的所述上表面部分的所述凹形形状匹配的形状，并且通过所述第三绝缘层的具有均匀厚度的一部分与所述浮栅的所述上表面部分绝缘；形成与所述浮栅横向相邻并且绝缘的字线栅；并且在所述半导体衬底中形成间隔开的源极区和漏极区，其中所述半导体衬底的沟道区在所述源极区和所述漏极区之间延伸，其中所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并与所述第一部分绝缘，以用于控制所述沟道区的所述第一部分的电导率，并且其中所述字线栅设置在所述沟道区的第二部分上方并与所述第二部分绝缘，以用于控制所述沟道区的所述第二部分的电导率；其中所述字线栅包括至少部分地设置在所述浮栅上方的一部分，并且包括面向所述浮栅的所述尖锐边缘的凹口，并且其中所述字线栅的至少部分地设置在所述浮栅上方的所述部分还至少部分地设置在所述导电间隔物上方。

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