恭喜格芯(美国)集成电路科技有限公司M·D·莱维获国家专利权
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龙图腾网恭喜格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利雪崩光电二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110261431.3，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权雪崩光电二极管是由M·D·莱维;S·P·埃杜苏米利;J·J·埃利斯-莫纳甘;V·贾因;R·哈兹布恩;P·东莫;C·E·路斯;S·M·尚克;R·克里希纳萨米设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本雪崩光电二极管在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及雪崩光电二极管及制造方法。该结构包括：衬底材料，其具有沟槽，该沟槽具有由该衬底材料构成的侧壁和底部；第一半导体材料，其对沟槽的侧壁和底部加衬里；光敏半导体材料，其设置在第一半导体材料上；以及第三半导体材料，其设置在光敏半导体材料上。
本发明授权雪崩光电二极管在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：衬底材料，其具有沟槽，所述沟槽具有包括所述衬底材料的侧壁和底部，所述衬底材料由半导体材料组成；第一半导体材料，其对所述沟槽的所述侧壁和所述底部加衬里；光敏半导体材料，其设置在所述第一半导体材料上；以及第三半导体材料，其包括位于所述光敏半导体材料的中心的插塞并且在所述光敏半导体材料的顶表面上延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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