恭喜台湾积体电路制造股份有限公司朱峯庆获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110195656.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法是由朱峯庆;李威养;杨丰诚;陈燕铭设计研发完成，并于2021-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种方法包括提供一种结构，该结构具有在衬底上方的第一鳍和第二鳍并且通常沿着第一方向纵向定向和第一鳍和第二鳍上方的源极漏极SD部件；形成覆盖SD部件的层间介电ILD层；至少对SD部件之间的区域执行第一蚀刻工艺，从而在ILD层中形成沟槽；在沟槽中沉积介电材料；执行第二蚀刻工艺以选择性地使介电材料凹进；然后执行第三蚀刻工艺以选择性地使ILD层凹进，从而形成暴露SD部件的接触孔。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
本发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供一种结构，所述结构包括衬底、从所述衬底突出的鳍、围绕所述鳍的隔离部件、以及与所述鳍接合的栅极结构；沉积抗蚀剂层，所述抗蚀剂层覆盖所述鳍、所述隔离部件、以及所述栅极结构；执行第一蚀刻工艺以使所述抗蚀剂层凹进在所述栅极结构的顶表面的下方，其中，在执行所述第一蚀刻工艺之后，所述抗蚀剂层的顶表面与所述栅极结构的顶表面的高度差相对于所述栅极结构的顶表面与所述鳍的顶表面的高度差之比的范围为1:4至1:2；执行第二蚀刻工艺以进一步使所述抗蚀剂层凹进，其中，所述第二蚀刻工艺具有比所述第一蚀刻工艺更高的蚀刻速率；执行第三蚀刻工艺以去除所述抗蚀剂层，其中，所述第三蚀刻工艺具有比所述第二蚀刻工艺更低的蚀刻速率；使所述鳍凹进；以及在所述鳍之上形成外延源极漏极部件。
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