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龙图腾网恭喜硅能光电半导体(广州)有限公司申请的专利一种COB封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112701113B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011580199.1，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权一种COB封装结构是由陈智波;董国浩;夏雪松设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种COB封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种COB封装结构，正负极焊盘设置在线路基板上，正负极焊盘处的垂直芯片的电极放置方向相反，垂直芯片的上端电极与相邻的正装芯片上靠近垂直芯片的电极相反，垂直芯片的上端电极通过键合线与正装芯片连接，垂直芯片的下端电极通过电连接件与正极焊盘或负极焊盘连接，正装芯片通过绝缘件固定在线路基板上，正装芯片之间通过键合线连接，光转换层涂覆在芯片上，并包裹住键合线，芯片和光转换层都位于阻挡墙包围的区域内。本发明的芯片电极到线路基板的焊盘之间省去了键合线，避免出现边缘处键合线断裂的可靠性问题。保持了传统COB正装芯片封装的优点，且封装方法与现有生产工艺兼容，不需要额外的设备投入，即可实现大规模生产。

本发明授权一种COB封装结构在权利要求书中公布了：1.一种COB封装结构，其特征在于：包括垂直芯片、正装芯片、线路基板、正极焊盘、负极焊盘、绝缘件、电连接件、阻挡墙、光转换层，所述正极焊盘和所述负极焊盘设置在所述线路基板上，所述垂直芯片设置在所述正极焊盘和所述负极焊盘处，设置在所述正极焊盘处的垂直芯片与设置在所述负极焊盘处理的垂直芯片的电极放置方向相反，所述垂直芯片的上端电极与相邻的所述正装芯片上靠近所述垂直芯片的电极相反，所述垂直芯片的上端电极通过键合线与所述正装芯片连接，所述垂直芯片的下端电极通过所述电连接件与所述正极焊盘或所述负极焊盘连接，所述正装芯片通过所述绝缘件固定在所述线路基板上，所述正装芯片之间通过键合线连接，所述光转换层涂覆在所述垂直芯片和所述正装芯片上，并包裹住所述键合线，所述垂直芯片、所述正装芯片和所述光转换层都位于所述阻挡墙包围的区域内；所述光转换层为光转换材料按比例混合在硅胶里的混合体。

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