恭喜国立大学法人大阪大学龟田成司获国家专利权
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龙图腾网恭喜国立大学法人大阪大学申请的专利电阻装置、集成电路装置、体内植入装置和校正系数确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902413B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090715.4，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权电阻装置、集成电路装置、体内植入装置和校正系数确定方法是由龟田成司;平田雅之设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻装置、集成电路装置、体内植入装置和校正系数确定方法在说明书摘要公布了：电阻装置100具备场效应晶体管TN和电压施加电路1。电压施加电路1通过在场效应晶体管TN的栅极‑源极之间施加对应于温度T的控制电压Vgs，对场效应晶体管TN的漏极‑源极之间的电阻值R进行控制。控制电压Vgs是指在基准电压Vgs0上加上校正电压Vc之后的电压。校正电压Vc依赖于温度T，并被设定为在第一温度T1时是零。
本发明授权电阻装置、集成电路装置、体内植入装置和校正系数确定方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻装置，具备场效应晶体管和电压施加电路，所述电压施加电路通过在所述场效应晶体管的栅极-源极之间施加对应于温度的控制电压，对所述场效应晶体管的漏极-源极之间的电阻值进行控制，所述控制电压是指在基准电压上加上校正电压之后的电压，所述校正电压依赖于所述温度，并被设定为在第一温度时是零，所述校正电压由下式表示，Vc＝βT-T1，“Vc”表示所述校正电压，“β”表示校正系数，“T”表示作为变量的所述温度，“T1”表示所述第一温度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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