恭喜苏州大学文正学院李珂获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州大学文正学院申请的专利基于II-VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011420070.4，技术领域涉及：H01L21/423；该发明授权基于II-VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法是由李珂;邵智斌;王前;裘欣设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于II-VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在所述基底上形成基于II‑VI族半导体的一维纳米结构；在所述一维纳米结构的两端形成第一金属电极层和第二金属电极层，以获得存储器坯料；对所述存储器坯料进行电子辐照处理，以获得存储器。本发明的方案获得了具有大存储窗口、高开关比等特性的基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器，并且该制备方法省去了制备浮栅层、氧化物阻挡层以及隧穿层的工序，且该制备方法工艺简单。
本发明授权基于II-VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.基于II-VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底；在所述基底上形成基于II-VI族半导体的一维纳米结构；在所述一维纳米结构的两端形成第一金属电极层和第二金属电极层，以获得存储器坯料；对所述存储器坯料进行电子辐照处理，以获得存储器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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