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龙图腾网恭喜株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011318746.9，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权晶片的加工方法是由中村胜设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的加工方法，在对两层构造的晶片进行加工时，即使对晶片的背面进行磨削而薄化，也不会在外周形成刀刃，并且能够解决示出晶体取向的凹口消失而给后续工序中的处理带来障碍的问题。该晶片的加工方法对在第一晶片的正面上层叠第二晶片而构成的二层构造的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：阶梯差部形成工序，从第二晶片侧切削至到达第一晶片的外周剩余区域且与第一晶片的完工厚度对应的深度，将形成于第二晶片的外周端的倒角部去除，在第一晶片的外周剩余区域形成环状的阶梯差部；以及第二晶片磨削工序，在实施了该阶梯差部形成工序之后，对第二晶片的露出面进行磨削而使第二晶片形成为规定的厚度。

本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，对在第一晶片的正面上层叠第二晶片而构成的两层构造的晶片进行加工，该第一晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：阶梯差部形成工序，从该第二晶片侧切削至到达该第一晶片的外周剩余区域且与该第一晶片的完工厚度对应的深度，将形成于该第二晶片的外周端的倒角部去除，在该第一晶片的外周剩余区域形成环状的阶梯差部；第二晶片磨削工序，在实施了该阶梯差部形成工序之后，对该第二晶片的露出面进行磨削，使该第二晶片成为规定的厚度；环状改质层形成工序，在实施了该第二晶片磨削工序之后，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该第一晶片的外周剩余区域所形成的该阶梯差部的根部的内部而进行照射，形成环状的改质层；保护带配设工序，在实施了该环状改质层形成工序之后，在该第二晶片的露出面上配设大小与该第一晶片对应的保护带；以及第一晶片磨削工序，在实施了该保护带配设工序之后，对该第一晶片的露出面进行磨削而对该改质层赋予刺激，使包含该阶梯差部在内的环状的区域沿着该改质层从该第一晶片分离而下落到该保护带上，并且将该第一晶片磨削至完工厚度。

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