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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利用于垂直场效应晶体管的对称二维鳍结构和制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011072807.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权用于垂直场效应晶体管的对称二维鳍结构和制造其的方法是由金善培;宋昇炫;郑荣采设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于垂直场效应晶体管的对称二维鳍结构和制造其的方法在说明书摘要公布了：本发明构思提供了一种制造垂直场效应晶体管VFET的鳍结构的方法和通过该方法制造的鳍结构。所述方法包括：a图案化下层和沉积在下层上的上层，以形成分别在彼此垂直的两个方向上延伸的两个图案；b沿着下层和上层的通过图案化暴露的侧壁在所述两个图案中并排地形成第一间隔物和第二间隔物；c去除在下层的顶表面的水平之上的第一间隔物、第二间隔物和上层、以及在下层的顶表面的水平之下并在俯视图中通过所述两个图案暴露的第一间隔物；d去除在操作c之后保留在衬底上的下层、上层和第二间隔物；以及e除了衬底的位于在操作d之后保留在衬底上的第一间隔物之下的部分以外，向下蚀刻衬底，并去除保留的第一间隔物，从而获得鳍结构。

本发明授权用于垂直场效应晶体管的对称二维鳍结构和制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造垂直场效应晶体管的至少一个鳍结构的方法，所述方法包括以下操作：a在衬底上形成第一层，所述第一层具有至少一个第一图案，所述第一图案以恒定的第一宽度在第一方向上延伸并且穿透所述第一层，使得所述衬底的顶表面在所述第一方向上通过所述第一图案暴露；b在所述第一层上形成第二层，使得所述第二层形成在所述第一层的顶表面上并且填充所述第一图案；c在所述第二层的顶表面上形成第三层，所述第三层具有至少一个掩模图案，所述至少一个掩模图案横越所述第一图案、以恒定的第二宽度在不同于所述第一方向的第二方向上延伸、以及穿透所述第三层，使得所述第二层的顶表面在所述第二方向上通过所述掩模图案暴露；d使用所述第三层作为掩模沿着所述掩模图案来图案化所述第二层，使得所述掩模图案穿透所述第二层以形成与所述掩模图案对应的至少一个第二图案，所述第一层的所述顶表面通过所述第二图案暴露，并且所述衬底的所述顶表面通过所述第一图案和所述第二图案暴露；e去除所述第三层；f沿着所述第一层的通过所述第一图案暴露的侧壁和所述第二层的通过所述第二图案暴露的侧壁形成第一间隔物；g沿着所述第一间隔物的侧壁形成第二间隔物；h去除形成在所述第一层的所述顶表面之上并且在所述第二层与所述第二间隔物之间的所述第一间隔物、以及在所述第一层的所述顶表面之下并且在俯视图中通过所述第一图案和所述第二图案暴露的所述第一间隔物；i去除形成在所述第一层的所述顶表面的水平之上的所述第二层和所述第二间隔物；j去除在所述衬底的所述顶表面的水平之上的所述第一层、所述第二层和所述第二间隔物；以及k除了所述衬底的在从操作j留下的所述第一间隔物之下的部分以外，向下蚀刻所述衬底，并且去除从操作j留下的所述第一间隔物，从而获得所述鳍结构。

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