恭喜株式会社村田制作所近藤将夫获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社村田制作所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011063884.7，技术领域涉及：H10D84/67；该发明授权半导体装置是由近藤将夫;佐佐木健次;小屋茂树;高桥新之助设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制集电极电流或漏极电流的路径的寄生电感或寄生电阻的增加的半导体装置。在基板配置有两列的晶体管列。两列的晶体管列的每列晶体管列由在第一方向上排列的多个晶体管构成，两列的晶体管列在与第一方向正交的第二方向上隔开间隔配置。在俯视时，在两列的晶体管列之间的区域配置有第一布线。第一布线与两列的晶体管列的多个晶体管的集电极或者漏极连接。在俯视时第一凸块与第一布线重叠，且配置在两列的晶体管列之间，并与第一布线连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：基板；以及设置在上述基板的两列的晶体管列，上述两列的晶体管列的每列晶体管列由在第一方向上排列的多个晶体管构成，上述两列的晶体管列在与上述第一方向正交的第二方向上隔开间隔配置，上述半导体装置还具有：第一布线，在俯视时被配置在上述两列的晶体管列之间的区域，并与上述两列的晶体管列的上述多个晶体管的集电极或者漏极连接；以及至少一个第一凸块，在俯视时与上述第一布线重叠，并且被配置在夹在上述两列的晶体管列之间的区域，并与上述第一布线连接，在俯视时上述第一凸块不与上述两列的晶体管列重叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社村田制作所，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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