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龙图腾网恭喜深圳英集芯科技股份有限公司申请的专利一种可应用于薄栅氧化层工艺的电荷泵电路的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114257082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110224520.0，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权一种可应用于薄栅氧化层工艺的电荷泵电路的控制方法是由黄洪伟设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可应用于薄栅氧化层工艺的电荷泵电路的控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了可应用于薄栅氧化层工艺的电荷泵电路的控制方法：所述电荷泵辅助电路输出高电平电压，为所述驱动电路提供驱动信号；所述电荷泵电路输出适用于薄栅氧化层工艺的驱动电压，以驱动所述N型功率管。采用本申请实施例可输出适用于薄栅氧化层工艺的驱动电压，以驱动N型功率管，成本较低且可靠性高。

本发明授权一种可应用于薄栅氧化层工艺的电荷泵电路的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种电荷泵电路模组的控制方法，其特征在于其中，所述电荷泵电路模组包括：电荷泵辅助电路、驱动电路、电荷泵电路、N型功率管、二极管Z2和二极管Z3；所述电荷泵辅助电路与所述驱动电路连接，所述驱动电路与所述电荷泵电路连接，所述电荷泵电路与所述N型功率管的栅极连接，其中，所述二极管Z2的负极连接在所述电荷泵电路与所述N型功率管的栅极之间，所述二极管Z2的正极与所述二极管Z3的正极连接，所述二极管Z3的负极与所述N型功率管的源极连接；其中，二极管Z2和二极管Z3均为齐纳二极管；二极管Z2和二极管Z3通过面对面的形式连接，用于能限制N型功率管的栅极和源极的压差，以避免N型功率管栅源击穿；所述方法包括：所述电荷泵辅助电路输出高电平电压，以便为所述驱动电路提供驱动信号；所述电荷泵电路输出适用于薄栅氧化层工艺的驱动电压，以驱动所述电荷泵电路模组中的N型功率管；其中，电荷泵电路模组还包括二极管D8，二极管D8并联在N型功率管上，所述二极管Z3的负极与所述N型功率管的源极相交后，得到输出信号OUT；其中，所述电荷泵辅助电路包括场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5、场效应管M6、场效应管M7、场效应管M8、场效应管M9、场效应管M10、场效应管M11、场效应管M12、二极管Z1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、反相器I1、二极管D1、二极管D2和二极管D3；所述场效应管M1的漏极接入信号VM，所述场效应管M3的漏极接入电源VCC，所述场效应管M4的栅极经由所述反相器I1接入信号COMP，所述场效应管M8的栅极、所述场效应管M9的栅极连接在所述信号COMP与所述反相器I1之间，所述场效应管M1的栅极与所述场效应管M2的栅极串接后与所述场效应管M11的漏极连接，所述场效应管M3的栅极与所述场效应管M4的漏极连接，所述场效应管M4的源极连接电阻R2的一端，所述场效应管M6的栅极与所述场效应管M7的栅极连接，所述场效应管M7的漏极与所述场效应管M8的源极连接，所述场效应管M8的漏极与所述场效应管M10的漏极连接，所述场效应管M10的栅极与所述场效应管M11的栅极连接，所述场效应管M11的漏极与所述场效应管M9的漏极连接，所述场效应管M9的源极连接至所述电阻R2的一端、所述场效应管M4的源极，所述电阻R2的另一端连接至所述场效应管M5的漏极，所述场效应管M12的源极和所述驱动电路均接于节点B，所述场效应管M12的栅极与漏极连接后连接于所述场效应管M2的漏极、节点A，所述电阻R3并联在所述场效应管M11的源极、漏极之间，所述二极管Z1的一端连接于所述节点A，所述二极管Z1的另一端连接所述场效应管M6的漏极；所述N型功率管的漏极连接在所述接入信号VM与所述二极管D1的正极之间，所述场效应管M1的源极与所述场效应管M2的源极连接，所述场效应管M3的源极与所述场效应管M12的漏极连接，所述场效应管M5、所述场效应管M6和所述场效应管M7的源极均接地，所述场效应管M5的栅极接入信号EN，所述场效应管M10的源极和所述场效应管M11的源极均连接在所述场效应管M1的源极和所述场效应管M2的源极之间；所述二极管D1并联在所述场效应管M1上，所述二极管D2并联在所述场效应管M3上，所述二极管D3并联在所述场效应管M2上；所述二极管D1为独立二极管或场效应管内部自带的反并联二极管；所述二极管D2为独立二极管或场效应管内部自带的反并联二极管；所述二极管D3均为独立二极管或场效应管内部自带的反并联二极管；其中，所述场效应管M3的源极与所述场效应管M4的漏极还通过电阻R1连接。

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