恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李昇展获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片结构和其形成方法以及形成多维集成芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010940991.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权集成芯片结构和其形成方法以及形成多维集成芯片的方法是由李昇展;周正贤;陈昇照;蔡正原;吴国铭设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片结构和其形成方法以及形成多维集成芯片的方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本公开涉及一种形成集成芯片结构的方法。可以通过在设置在第一半导体衬底的上表面上方的第一互连结构内形成多个互连层来执行该方法。执行边缘修整工艺以沿着第一半导体衬底的周边去除第一互连结构和第一半导体衬底的部分。边缘修整工艺导致第一半导体衬底具有通过直接设置在第一半导体衬底上方的内侧壁而耦合到上表面的凹进表面。在执行边缘修整工艺之后，在第一互连结构的侧壁上形成介电保护层。本公开还涉及形成多维集成芯片的方法以及集成芯片结构。
本发明授权集成芯片结构和其形成方法以及形成多维集成芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成芯片结构的方法，包括：在设置在第一半导体衬底的上表面上方的第一互连结构内形成多个互连层；执行边缘修整工艺以沿着第一半导体衬底的周边去除所述第一互连结构和所述第一半导体衬底的部分，其中，所述边缘修整工艺导致所述第一半导体衬底具有通过直接设置在所述第一半导体衬底上方的内侧壁耦接到所述上表面的凹进表面；在执行所述边缘修整工艺之后，在所述第一互连结构的侧壁上形成介电保护层；将所述第一半导体衬底接合到第二半导体衬底；以及在将所述第一半导体衬底接合到所述第二半导体衬底之后，减小所述第一半导体衬底的厚度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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