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龙图腾网恭喜信越化学工业株式会社申请的专利稀土类磁体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114402404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080065139.8，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权稀土类磁体的制备方法是由中村元;广田晃一;大桥彻也设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本稀土类磁体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的稀土类磁体的制备方法如下：使用夹具6将多个烧结体7并列配置，使得多个烧结体7的第1面21沿着与垂直方向平行的面；在设置有在多个烧结体7的第1面21侧配置的靶4的第一成膜处理室5内，使膜在使用夹具6并列配置的多个烧结体7的第1面21上成膜；在设置有在多个烧结体6的第2面22侧配置的靶4的与第一成膜处理室5并列设置的第二成膜处理室25内，使膜在使用夹具6并列配置的多个烧结体7的第2面22上成膜；在第一成膜处理室5和第二成膜处理室25之间，使使用夹具6并列配置的多个烧结体7在水平方向移动。根据本发明，可提供能够通过利用由物理气相生长法形成的膜的晶界扩散法以稳定的品质且大量地制备高性能稀土类磁体的稀土类磁体的制备方法。

本发明授权稀土类磁体的制备方法在权利要求书中公布了：1.稀土类磁体的制备方法，其包括以下晶界扩散工序：在由R1-Fe-B系组成构成、且分别具有第1面和所述第1面的相反侧的第2面的多个烧结体上，通过物理气相生长法使选自R2膜、R2-M合金膜以及R2和M的多层膜的1种或2种以上的膜成膜，通过此后的热处理使R2或R2和M被所述烧结体吸收；R1为选自稀土类元素的1种或2种以上的元素，其中Pr和Nd中的1种或2种元素为必需，R2为选自稀土类元素的1种或2种以上的元素，其中Tb和Dy中的1种或2种元素为必需，M为选自Cu、Al、Co、Fe、Mn、Ni、Sn和Si的1种或2种以上的元素，其特征在于，使用夹具将所述多个烧结体并列配置，使得所述多个烧结体的第1面沿着与垂直方向或水平方向平行的面，所述晶界扩散工序包括：第1成膜工序，在设置有在所述多个烧结体的第1面侧配置的含有所述R2的靶的第一成膜处理室内，在惰性气体气氛中使所述膜在使用所述夹具并列配置的所述多个烧结体的第1面上成膜；第2成膜工序，在设置有在所述多个烧结体的第2面侧配置的含有所述R2的靶的与所述第一成膜处理室并列设置的第二成膜处理室内，在惰性气体气氛中使所述膜在使用所述夹具并列配置的所述多个烧结体的第2面上成膜；以及移动工序，在所述第一成膜处理室和所述第二成膜处理室之间使使用所述夹具并列配置的所述多个烧结体在水平方向或垂直方向移动，所述夹具由选自铝、铝合金、铜、铜合金、铁、铁合金、钛、钛合金、铌、铌合金、钨、钨合金、钼和钼合金的1种或2种以上的材料构成，所述夹具构造成将所述烧结体夹持并将其保持在前端成形为尖锐状的保持部中，所述保持部的所述前端在弹性限度内的移动距离为所述烧结体的夹持方向的尺寸的尺寸公差幅度的2倍以上。

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