恭喜北京小獴科技有限公司吴振陵获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京小獴科技有限公司申请的专利一种分支电磁环及弱电能提取方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111884354B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010824171.1,技术领域涉及:H02J50/10;该发明授权一种分支电磁环及弱电能提取方法是由吴振陵;曹先亮;焦学峰;李梅;孙庆瑞设计研发完成,并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分支电磁环及弱电能提取方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种分支电磁环,分支电磁环为平面结构,平面结构由上承载层、上核心层、介质隔离层、下核心层和下承载层自上而下依次叠加组成;上核心层与下核心层的结构、材质特性均相同,上核心层与下核心层均由位于中间的电磁环和位于电磁环两侧的分支组成,电磁环上设置有负载接口,两侧的分支的结构关于电磁环的中心点呈中心对称,上核心层和下核心层各自两侧的分支的材质具有非对称性,电磁环的材质具有非对称性;介质隔离层将上核心层和下核心层进行电隔离,上核心层和下核心层关于介质隔离层的中心点成中心对称。此方法能够利用通过电磁环在磁场中的运动或磁场的变化产生的感应电动势提取到微弱的能量。
本发明授权一种分支电磁环及弱电能提取方法在权利要求书中公布了:1.一种分支电磁环,其特征在于:所述分支电磁环为平面结构,平面结构由上承载层1、上核心层2、介质隔离层3、下核心层4和下承载层5自上而下依次叠加组成;所述上核心层2与下核心层4的结构、材质特性均相同,上核心层2与下核心层4均由位于中间的电磁环8和位于电磁环8两侧的分支6组成,电磁环8上设置有负载接口7,两侧的分支6的结构关于电磁环8的中心点呈中心对称,上核心层2和下核心层4各自两侧的分支6的材质具有非对称性,电磁环8的材质具有非对称性;所述介质隔离层3将上核心层2和下核心层4进行电隔离,上核心层2和下核心层4关于介质隔离层3的中心点成中心对称;所述上核心层2或下核心层4的分支6的一侧由良导体材质构成;分支6的另一侧由良导体材质和铁磁导体材质交替连接组成;所述上核心层2的电磁环和下核心层4的电磁环均由两个四分之一圆弧的良导体材质和两个四分之一圆弧的铁磁导体材质交替连接而成。
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