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龙图腾网恭喜昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司申请的专利一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111747377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010705386.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法是由方青;胡鹤鸣;邵瑶;张馨丹;顾苗苗;陈华;陈晓峰设计研发完成，并于2020-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法，属于半导体制备技术领域。本发明所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本发明所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。

本发明授权一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜，其特征在于：包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上生长有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；所述基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜的制备方法，具体包括以下步骤：1在硅衬底上形成硅氧化物层，然后沉积一层硅基薄膜层，在硅基薄膜层沿x方向上，每隔5-25mm刻蚀产生一个沟槽，在硅基薄膜层沿y方向上，每隔5-32mm刻蚀产生一个沟槽，去胶并清洗后，备用；2在薄膜上方沉积一层低应力的包覆层，包覆层材料厚度高于硅基薄膜材料；使沟槽中填充满低应力的包覆层材料；3通过反向包覆层刻蚀工艺和化学机械平坦化工艺抛光去除硅基薄膜层上面的包覆层材料，保留沟槽的包覆层材料，得到平整的上表面；4重复步骤1、2和3多次，使硅基膜厚度达到1μm以上，并保持晶圆低的翘曲度。

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