恭喜分子印记公司V·辛格获国家专利权
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龙图腾网恭喜分子印记公司申请的专利在压印光刻工艺中配置光学层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117806119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410025025.0，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权在压印光刻工艺中配置光学层是由V·辛格;M·N·米勒;F·Y·徐设计研发完成，并于2017-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本在压印光刻工艺中配置光学层在说明书摘要公布了：本发明涉及在压印光刻工艺中配置光学层。配置光学层的压印光刻方法包括利用图案化模板在衬底的一面上压印具有第一数量级的尺寸的第一特征，同时利用图案化模板在衬底的该面上压印具有第二数量级的尺寸的第二特征，第二特征尺寸确定且布置成在衬底与相邻表面之间限定一间隙。
本发明授权在压印光刻工艺中配置光学层在权利要求书中公布了：1.一种多层可佩戴目镜，包括：第一光学层，所述第一光学层包括：第一衬底，在第一衬底的一面上的第一波导，所述第一波导包括：功能图案，其中所述功能图案包括在第一位置的具有第一数量级的尺寸的第一特征，其中，第一特征包括第一衍射光栅，所述第一衍射光栅被构造成投射第一波长范围的光并将虚像聚焦在第一深度平面，其中第一衍射光栅包括第一入耦合光栅并形成第一正交光瞳扩展区和第一出射光瞳扩展区，和围绕功能图案的辅助图案，所述辅助图案包括：具有所述第一数量级的尺寸的附加的第一特征，其中所述附加的第一特征包括抗反射特征，和分别在所述第一衬底的所述面上与第一位置横向间隔开的第二位置处的具有第二数量级的尺寸的第二特征，第二数量级的尺寸大于第一数量级的尺寸；和第二光学层，所述第二光学层附接到所述第二特征以在第一光学层和第二光学层之间限定一具有所述第二数量级的尺寸的间隙，所述第二光学层包括：第二衬底，和第二波导，所述第二波导包括第二衍射光栅，所述第二衍射光栅被构造成投射第二波长范围的光并将虚像聚焦在第二深度平面，其中第二衍射光栅包括第二入耦合光栅并形成第二正交光瞳扩展区和第二出射光瞳扩展区。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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