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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利集成门极换流晶闸管的元胞结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510374469.X，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权集成门极换流晶闸管的元胞结构及其制备方法是由魏晓光;吴沛飞;李玲;刘瑞;王耀华;唐新灵;焦倩倩;李立设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成门极换流晶闸管的元胞结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种集成门极换流晶闸管的元胞结构及其制备方法，该元胞结构包括：基底；漂移层在背离基底的一侧具有第一表面；第一掺杂层包括第一子掺杂区和第二子掺杂区，第一子掺杂区和第二子掺杂区沿第一方向交替排布，第一子掺杂区具有第一掺杂类型，第二子掺杂区具有第二掺杂类型；第二掺杂层背离基底的一侧表面为第二表面；阴极结构一部分位于第二掺杂层中，另一部分位于第二表面上；多个门极位于阴极结构在第一方向上的两侧。通过在漂移层上形成由第一子掺杂区和第二子掺杂区形成的半超结结构，减小了漂移层的厚度，且漂移层厚度的减小还可以降低晶闸管的导通电阻，提高晶闸管的开关速度。解决了元胞结构的尺寸较大，且综合性能不佳的问题。

本发明授权集成门极换流晶闸管的元胞结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成门极换流晶闸管的元胞结构，其特征在于，包括：基底，具有第一掺杂类型；漂移层，位于所述基底的一侧，所述漂移层在背离所述基底的一侧具有第一表面，所述漂移层具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不同；第一掺杂层，位于所述第一表面上，所述第一掺杂层包括第一子掺杂区和第二子掺杂区，所述第一子掺杂区具有所述第一掺杂类型，所述第二子掺杂区具有所述第二掺杂类型；第二掺杂层，位于所述第一掺杂层背离所述基底的一侧，所述第二掺杂层背离所述基底的一侧表面为第二表面，所述第二掺杂层具有所述第一掺杂类型；阴极结构，一部分位于所述第二掺杂层中，另一部分位于所述第二表面上；多个门极，间隔的位于所述第二表面上，多个所述门极位于所述阴极结构在第一方向上的两侧，所述第一方向与所述基底指向所述漂移层的方向垂直；其中，所述第二子掺杂区包括两个部分，第一部分在所述阴极结构的下方，第二部分位于所述第一部分在所述第一方向上的两侧，所述第一部分和所述第二部分均包括多个凸起和多个凹陷交替排布，所述第一部分和所述第二部分的下表面齐平，所述第一部分的各所述凸起的上表面高于所述第二部分的各所述凸起的上表面，在所述阴极结构指向所述门极的方向上，所述第二部分的多个所述凸起的高度依次减小，所述第一部分的多个所述凹陷处和所述第二部分的多个所述凹陷处均设置有所述第一子掺杂区，所述第一部分的多个所述凹陷处的所述第一子掺杂区的下表面比所述第二部分的多个所述凹陷处的所述第一子掺杂区的下表面高，所述第一部分的多个所述凸起的上表面和所述第一子掺杂区的上表面齐平。

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