台湾积体电路制造股份有限公司高魁佑获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928736U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421376068.5，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置结构是由高魁佑;林士尧;卓琼玉;陈振平;林志翰;张铭庆设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置结构包括通道区、第一源极漏极特征、栅极介电层与栅极电极层。通道区包括第一通道层以及第二通道层，第一通道层具有第一宽度，第二通道层设置于第一通道层下方，第二通道层具有大于第一宽度的第二宽度。第一源极漏极特征具有与第一通道层和第二通道层接触的侧壁。栅极介电层设置为围绕第一通道层和第二通道层中每一者的多个暴露表面。栅极电极层设置于栅极介电层上。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：一通道区，包括：一第一通道层，其中该第一通道层具有一第一宽度；及一第二通道层，设置于该第一通道层下方，其中该第二通道层具有大于该第一宽度的一第二宽度；一第一源极漏极特征，具有与该第一通道层和该第二通道层接触的一侧壁；一栅极介电层，设置为围绕该第一通道层和该第二通道层中每一者的多个暴露表面；及一栅极电极层，设置于该栅极介电层上。
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