北京怀柔实验室韩荣刚获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利晶圆的封装结构、功率器件以及晶圆封装结构的键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410772567.4，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权晶圆的封装结构、功率器件以及晶圆封装结构的键合方法是由韩荣刚;魏晓光;王亮;唐新灵;代安琪;张红丹;石浩;杜玉杰;郝炜设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆的封装结构、功率器件以及晶圆封装结构的键合方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种晶圆的封装结构、功率器件以及晶圆封装结构的键合方法，该封装结构包括依次层叠的阴极金属片、晶圆、纳米材料膜和阳极金属片；纳米材料膜中包括至少一层过渡层；过渡层的材料为弹性材料。上述封装结构中，通过在纳米材料膜中设置具有弹性形变能力的过渡层，可以通过过渡层吸收晶圆翘曲变形应力，来释放翘曲变形应力，达到可以降低翘曲变形程度的效果，进而进一步降低器件热阻，提高器件长期可靠性，可以促进低温键合技术在整晶圆封装领域的应用。
本发明授权晶圆的封装结构、功率器件以及晶圆封装结构的键合方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：依次层叠的阴极金属片、晶圆、纳米材料膜和阳极金属片；所述纳米材料膜中包括至少一层过渡层；所述过渡层的材料为弹性材料；其中，所述过渡层靠近所述晶圆的表面为凸面；所述过渡层靠近所述阳极金属片的表面为凸面；所述过渡层的厚度为50-100微米；所述凸面的中间凸起的厚度分别与两个边缘的厚度之间的厚度差为20-50微米；所述纳米材料膜中还包括至少两层的纳米材料层；每个所述过渡层设置于每相邻两层的纳米材料层之间。
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