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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410773057.9，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权功率半导体器件及其控制方法是由魏晓光;于克凡;唐新灵;代安琪;杜玉杰;王靖飞;石浩;韩荣刚设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其控制方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种功率半导体器件及其控制方法。该功率半导体器件包括：芯片单元和辅助封装结构。芯片单元包括导通优化区域和关断优化区域。辅助封装结构包括至少与所述关断优化区域连接的辅助关断组件。其中，所述芯片单元被配置为：在开通模式下于所述导通优化区域提供第一电流通路，于所述关断优化区域提供第二电流通路，以及在关断模式下使所述导通优化区域的电流转移至所述关断优化区域和所述辅助关断组件。所述辅助关断组件被配置为：增加所述关断优化区域的关断电流，以辅助所述关断优化区域关断。本公开可以同时兼顾电流导通能力和电流关断能力在单一功率半导体器件上的有效提升，以进一步提升功率半导体器件的电学性能。

本发明授权功率半导体器件及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：芯片单元，包括导通优化区域和关断优化区域；所述芯片单元包括：内有源区、内门极、外有源区和外门极；所述导通优化区域包括所述内门极和所述内有源区；所述关断优化区域包括所述外门极和所述外有源区；辅助封装结构，包括至少与所述关断优化区域连接的辅助关断组件；其中，所述芯片单元被配置为：在开通模式下于所述导通优化区域提供第一电流通路，于所述关断优化区域提供第二电流通路，以及在关断模式下使所述导通优化区域的电流转移至所述关断优化区域和所述辅助关断组件；所述辅助关断组件被配置为：增加所述关断优化区域的关断电流，以辅助所述关断优化区域关断；所述辅助关断组件包括：门阴极增强关断组件、门极增强关断组件、门极-门阴极增强关断组件或门极-门极增强关断组件；其中，所述门阴极增强关断组件包括门极场效应管组和阴极场效应管组；所述门极场效应管组的第一端与所述外门极连接；所述阴极场效应管组的第一端与所述外有源区的第三端连接；所述门极场效应管组的第二端、所述阴极场效应管组的第二端和所述内有源区的第三端连接并形成第二电流端口；或，所述门阴极增强关断组件包括门极场效应管组、阴极场效应管组和辅助连接组件；所述门极场效应管组的第一端与所述外门极连接，所述阴极场效应管组的第一端与所述外有源区的第三端连接；所述门极场效应管组的第二端、所述阴极场效应管组的第二端和所述内有源区的第三端连接并形成第二电流端口；所述辅助连接组件与所述内门极连接；或，所述门阴极增强关断组件包括门极场效应管组和阴极二极管组；所述门极场效应管组的第一端与所述外门极连接；所述阴极二极管组的第一端与所述外有源区的第三端连接；所述门极场效应管组的第二端、所述阴极二极管组的第二端和所述内有源区的第三端连接并形成第二电流端口；或，所述门阴极增强关断组件包括门极场效应管组、门极电容组和阴极二极管组；所述门极场效应管组与所述门极电容组串联，且所述门极场效应管组与所述门极电容组的串联支路的第一端与所述外门极连接；所述阴极二极管组的第一端与所述外有源区的第三端连接；所述门极场效应管组与所述门极电容组的串联支路的第二端、所述阴极二极管组的第二端和所述内有源区的第三端连接并形成第二电流端口；或，所述门阴极增强关断组件包括门极场效应管组、门极电容组、阴极二极管组和辅助连接组件；所述门极场效应管组与所述门极电容组串联，且所述门极场效应管组与所述门极电容组的串联支路的第一端与所述外门极连接；所述阴极二极管组的第一端与所述外有源区的第三端连接；所述门极场效应管组与所述门极电容组的串联支路的第二端、所述阴极二极管组的第二端和所述内有源区的第三端连接并形成第二电流端口；所述辅助连接组件与所述内门极连接。

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