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深圳吉华微特电子有限公司李正浩获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳吉华微特电子有限公司申请的专利一种连续漏极电流测试电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222926816U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421285502.9,技术领域涉及:G01R31/26;该实用新型一种连续漏极电流测试电路是由李正浩;张恒通;苏晓山;张怀荣;黄永梅;刘少博;张震设计研发完成,并于2024-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

一种连续漏极电流测试电路在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种连续漏极电流测试电路,包括直流电源、程控电源、示波器和MOSFET器件,所述示波器通过电流探头和电压探头连接于所述MOSFET器件的两端,用于测量通过所述MOSFET器件的测试电流值和MOSFET器件两端的测试电压值以及测试加电时间,所述MOSFET器件包括栅极、源极和漏极,所述栅极与所述直流电源的正极连接,所述源极与所述直流电源的负极以及所述程控电源的负极连接,所述漏极与所述程控电源的正极连接。通过本实用新型提供的测试电路,测试电路中的直流电源将MOSFET器件开启,用程控电源控制输出时间,示波器则用于监测MOSFET器件两端的电压以及通过MOSFET器件的电流值以及持续时间,从而完成整个实验过程,进而实现连续漏极电流能力测试。

本实用新型一种连续漏极电流测试电路在权利要求书中公布了:1.一种连续漏极电流测试电路,其特征在于,包括直流电源、程控电源、示波器和MOSFET器件,所述示波器通过电流探头和电压探头连接于所述MOSFET器件的两端,用于测量通过所述MOSFET器件的测试电流值和所述MOSFET器件两端的测试电压值以及测试加电时间,所述MOSFET器件包括栅极、源极和漏极,所述栅极与所述直流电源的正极连接,所述源极与所述直流电源的负极以及所述程控电源的负极连接,所述漏极与所述程控电源的正极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳吉华微特电子有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区黄阁北路449号天安数码创新园二号厂房B804-2;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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