台湾积体电路制造股份有限公司李逸哲获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利铁电随机存取记忆体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928729U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421260652.4，技术领域涉及：H10B51/30；该实用新型铁电随机存取记忆体装置是由李逸哲;黄彦杰;黄怀莹;郑凯文;林佑明;林仲德设计研发完成，并于2024-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电随机存取记忆体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种铁电随机存取记忆体装置，包括电晶体，所述电晶体包括：闸极电极；铁电层，位于所述闸极电极之上；通道层，位于所述铁电层之上；顶盖层，位于所述通道层之上，其中所述顶盖层包含以下中的一或多者：CeOx、BeOx、InOx、GaOx、AlOx、SnOx、VOx、WOx、TiOx、ZrOx、NbOx、HfOx、SiOx、TaOx、基于前述金属氧化物的任意组合的二元金属氧化物、或者基于前述金属氧化物的任意组合的三元金属氧化物；介电层，位于所述顶盖层之上；以及源极及汲极，接触所述顶盖层、所述通道层或所述铁电层中的一或多者。
本实用新型铁电随机存取记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种铁电随机存取记忆体装置，其特征在于，包括：电晶体，包括：闸极电极；铁电层，位于所述闸极电极之上；通道层，位于所述铁电层之上；顶盖层，位于所述通道层之上；介电层，位于所述顶盖层之上；以及源极及汲极，接触所述顶盖层、所述通道层或所述铁电层中的一或多者。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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