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龙图腾网获悉中国机械总院集团北京机电研究所有限公司申请的专利一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法、真空渗碳脉冲时间的计算方法、储存介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118427482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410592502.1，技术领域涉及：G06F17/10；该发明授权一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法、真空渗碳脉冲时间的计算方法、储存介质是由马靖博;丛培武;陆文林;杜春辉;姚佳伟;杨广文;薛丹若;陈旭阳;王喆;黄晓辉;路鸣君设计研发完成，并于2024-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法、真空渗碳脉冲时间的计算方法、储存介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法、真空渗碳脉冲时间的计算方法，属于真空渗碳技术领域。渗碳过程碳浓度的精细化控制是渗碳件组织与性能调控的基础。本发明能够精确计算固定脉冲数情况下的真空渗碳所有强渗过程和扩散过程的时间。依据上述脉冲渗碳时间得到的工件渗层深度与目标值误差小于0.01%，相比于传统算法的10%有大幅度提升，为渗碳过程的精细化控制提供了工艺计算方法支撑。

本发明授权一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法、真空渗碳脉冲时间的计算方法、储存介质在权利要求书中公布了：1.一种脉冲渗碳表面碳浓度低点的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供目标渗层深度hd、目标渗层深度对应碳浓度Cc、目标表面碳浓度Cd、材料参数、渗碳脉冲数n、脉冲渗碳表面碳浓度低点的左值Cl,l、脉冲渗碳表面碳浓度低点的右值Cl,r、误差E；基体碳浓度＜所述Cl,l＜所述Cl,r＜奥氏体饱和碳浓度；（2）根据所述Cc、Cd、材料参数、n和左值Cl,l获得表面碳浓度低点为Cl,l时的渗层深度hl，如果hlhd，减小Cl,l，重复执行步骤（2）直至hl≥hd；如果hl≥hd，继续步骤（3）；（3）根据所述Cc、Cd、材料参数、n和右值Cl,r获得表面碳浓度低点为Cl,r时的渗层深度hr，如果hrhd，增加Cl,r，重复执行步骤（3）直至hr≤hd；如果hr≤hd，继续步骤（4）；（4）根据Cl,l和Cl,r计算Cl,h；所述Cl,h=xCl,l+1-xCl,r，式中0x1；（5）根据所述Cc、Cd、材料参数、n和Cl,h获得表面碳浓度低点为Cl,h时的渗层深度h；如果丨h-hd丨≤E，Cl,h即为表面碳浓度低点；如果丨h-hd丨＞E且h＞hd，则Cl,h=Cl,l，重复执行步骤（4）和步骤（5）直至丨h-hd丨≤E；如果丨h-hd丨＞E且h＜hd，则Cl,h=Cl,r，重复执行步骤（4）和步骤（5）直至丨h-hd丨≤E。

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