天合光能股份有限公司王子港获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410515606.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统是由王子港设计研发完成，并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。太阳能电池的制作方法包括：提供一基片，基片包括基底和设置于基底的一个表面的隧穿氧化层；在隧穿氧化层的背离基底的表面依次层叠形成第一掺杂非晶硅层、第二本征非晶硅层以及第三掺杂非晶硅层；进行加热处理，以使第三掺杂非晶硅层中的掺杂元素向第二本征非晶硅层中扩散，并使第一掺杂非晶硅层、第二本征非晶硅层和第三掺杂非晶硅层分别形成第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层和第三掺杂多晶硅层。本发明的太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统，能够提升太阳能电池的转换效率。
本发明授权太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一基片，所述基片包括基底和设置于所述基底的一个表面的隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层的背离所述基底的表面依次层叠形成第一掺杂非晶硅层、第二本征非晶硅层以及第三掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层掺杂有碳元素，所述第三掺杂非晶硅层掺杂有P型或N型元素；进行加热处理，以使所述第三掺杂非晶硅层中的掺杂元素向所述第二本征非晶硅层中扩散，并使所述第一掺杂非晶硅层、所述第二本征非晶硅层和所述第三掺杂非晶硅层分别形成第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层和第三掺杂多晶硅层；所述第一掺杂非晶硅层还掺杂有与所述第三掺杂非晶硅层中种类相同的P型或N型元素。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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