安徽长飞先进半导体股份有限公司罗成志获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118299425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410401419.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆是由罗成志;伍术;邹佳欣;钟敏设计研发完成，并于2024-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆，半导体器件包括：外延层包括凹槽；凹槽内包括氧化物层和多晶硅层，氧化物层位于多晶硅层与外延层之间；氧化物层包括第一氧化物层和第二氧化物层，第一氧化物层覆盖凹槽的侧壁，第二氧化物层覆盖第一氧化物层以及凹槽的底部；凹槽底部的第二氧化物层的厚度大于凹槽侧壁的第一氧化物层和第二氧化物层的厚度和；或者，凹槽内还包括氧化阻挡层，氧化阻挡层位于凹槽的侧壁，且位于第一氧化物层和第二氧化物层之间，凹槽底部的第二氧化物层的厚度大于凹槽侧壁的第一氧化物层、氧化阻挡层和第二氧化物层的厚度和；本发明可以提高器件的开关速度和击穿电压。
本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底和外延层；所述外延层包括凹槽；所述凹槽位于所述外延层远离所述衬底的一侧；所述凹槽内包括氧化物层和多晶硅层，所述氧化物层位于所述多晶硅层与所述外延层之间；所述氧化物层包括第一氧化物层和第二氧化物层，所述第一氧化物层覆盖所述凹槽的侧壁，所述第二氧化物层位于所述第一氧化物层远离所述外延层的一侧，所述第二氧化物层覆盖第一氧化物层以及所述凹槽的底部；所述凹槽底部的第二氧化物层的厚度大于所述凹槽侧壁的所述第一氧化物层和所述第二氧化物层的厚度和；所述凹槽内还包括氧化阻挡层，所述氧化阻挡层位于所述第一氧化物层远离所述外延层的一侧，第二氧化物层是通过氧化凹槽底部的外延层和完全氧化凹槽侧壁的氧化阻挡层形成。
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