安徽大学吴秀龙获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于加固技术的抗四节点翻转latch锁存器电路、模块获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116614110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310487411.7,技术领域涉及:H03K3/013;该发明授权一种基于加固技术的抗四节点翻转latch锁存器电路、模块是由吴秀龙;张心怡;赵强;郝礼才;许鑫;林涵宇;张亚楠;戴成虎;彭春雨;蔺智挺设计研发完成,并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于加固技术的抗四节点翻转latch锁存器电路、模块在说明书摘要公布了:本发明涉及集成电路设计技术领域,更具体的,涉及一种基于加固技术的抗四节点翻转latch锁存器电路,以及基于该抗四节点翻转latch锁存器电路封装的模块。本发明的存储节点X0、X3、X4、X7、X8、X11均由PMOS晶体管包围,形成极性加固,有效避免发生翻转。本发明使用了源隔离技术,使存储节点X1、X2、X5、X6、X9、X10也仅产生“1‑0”和“0‑0”的电压脉冲,可以有效减少电路敏感节点数量,提高了电路稳定性。本发明构建了多级输入的C单元部,可在多节点受到轰击时配合作用保证Q的正确输出。本发明的电路具备完全的抗SNU、DNU、TNU、QNU能力,并有较低的延迟、较低的功耗以及较小的面积。
本发明授权一种基于加固技术的抗四节点翻转latch锁存器电路、模块在权利要求书中公布了:1.一种基于加固技术的抗四节点翻转latch锁存器电路,其特征在于,包括:上拉管部,其包括18个PMOS晶体管P1~P12、P14、P15、P18、P19、P22、P23,用于上拉存储节点X0~X11;下拉管部,其包括6个PMOS晶体管P13、P16、P17、P20、P21、P24和12个NMOS晶体管N1~N12,用于下拉存储节点X0~X11;其中,X0、X3、X4、X7、X8、X11均被PMOS晶体管包围,形成极性加固;P2和P14、P3和P15、P6和P18、P7和P19、P10和P22、P11和P23形成源隔离加固;反相器一,其包括1个NMOS晶体管N39、1个PMOS晶体管P39,用于将输入信号D反相为反输入信号DN;反相器二,其包括1个NMOS晶体管N40、1个PMOS晶体管P40,用于将时钟信号CLK反相为反时钟信号CLKB;传输管部,其包括12个NMOS晶体管N13~N24,均连接CLK;其中,X0、X2、X4、X6、X8、X10对应通过N13、N15、N17、N19、N21、N23与D相连,X1、X3、X5、X7、X9、X11对应通过N14、N16、N18、N20、N22、N24与DN相连;C单元部,其包括C单元一、C单元二、C单元三、C单元四、C单元五、C单元六;所述C单元一包括2个PMOS晶体管P25、P26、2个NMOS晶体管N25、N26,用于依据X3、X5输出中间信号X12;所述C单元二包括2个PMOS晶体管P27、P28、2个NMOS晶体管N27、N28,用于依据X7、X9输出中间信号X13;所述C单元三包括2个PMOS晶体管P29、P30、2个NMOS晶体管N29、N30,用于依据X11、X1输出中间信号X14;所述C单元四包括2个PMOS晶体管P31、P32、2个NMOS晶体管N31、N32,用于依据X12、X13输出中间信号X15;所述C单元五包括2个PMOS晶体管P33、P34、2个NMOS晶体管N33、N34,用于依据X13、X14输出中间信号X16;所述C单元六包括3个PMOS晶体管P35~P37、3个NMOS晶体管N35~N37,用于依据X15、X16、CLK、CLKB输出输出信号Q;以及传输门,其包括1个NMOS晶体管N38、1个PMOS晶体管P38,用于依据CLK进行打开或关闭;所述CLK=1时,传输门打开,所述抗四节点翻转latch锁存器电路为透明模式,D经过传输门直接输出Q;所述CLK=0时,传输门关闭,所述抗四节点翻转latch锁存器电路为保持模式,D、DN对应存入X0、X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10、X11,并经过C单元部输出Q。
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